AZ23C18_R1 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的低电容、单向/双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路和敏感电子设备设计。该器件能够有效吸收和泄放因静电放电或瞬态电压引起的高能量,从而保护后端电路免受损坏。AZ23C18_R1 采用小型SOT-23封装,适用于便携式电子产品、通信设备、计算机外围设备以及其他需要高可靠性ESD保护的应用。
工作电压:18V
钳位电压(Vc):26.1V(在Ipp=1A条件下)
峰值脉冲电流(Ipp):1A
反向关态电压(VRWM):18V
漏电流(IR):最大0.1μA @ 18V
响应时间(tRESP):小于1ns
电容值(C):0.5pF(典型值,频率1MHz)
封装形式:SOT-23
AZ23C18_R1具备多项优异特性,确保其在各种应用中的高效能表现。
首先,其低电容设计(典型值0.5pF)使其适用于高速信号线路,不会引入明显的信号失真或延迟,非常适合USB、HDMI、以太网等高速接口的ESD保护需求。
其次,该器件具有极快的响应时间,小于1纳秒,能够在静电放电事件发生的瞬间迅速启动保护机制,有效防止瞬态电压对敏感电路造成损害。
此外,AZ23C18_R1具有高浪涌吸收能力,其最大峰值脉冲电流可达1A,在IEC 61000-4-2 Level 4标准下(±8kV接触放电)仍能提供可靠保护。这使得该器件非常适合用于工业环境和恶劣条件下的电路保护。
该器件的低漏电流特性(最大0.1μA @ 18V)确保在正常工作条件下不会影响系统功耗,同时保持较高的系统稳定性。
采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,同时支持表面贴装工艺,提升生产效率和装配可靠性。
最后,AZ23C18_R1具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于各种工业和汽车电子应用。
AZ23C18_R1广泛应用于多种电子设备中,作为高速数据线和接口的ESD保护解决方案。常见应用包括USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI接口、以太网端口、SD卡插槽、串行通信接口(如RS-485)、便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑、数码相机)、笔记本电脑和台式机外设、工业控制设备以及汽车电子系统中的通信接口保护。其低电容和高速特性使其成为现代高速数字电路中不可或缺的保护元件。
PESD5V0S1BA; ESD5D5.0ST5G