RF5325SQ 时间：2025/8/15 20:39:20 阅读：20

RF5325SQ 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），适用于射频（RF）功率放大应用。该器件采用先进的 GaN 技术，提供高效率、高增益和出色的热稳定性，广泛用于通信基础设施、雷达系统和工业射频设备中。

参数

工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：25 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　漏极电流：1.2 A（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：65%（典型值）
　　封装类型：Surface Mount（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF5325SQ 采用先进的 GaN-on-SiC 技术，提供了卓越的热管理和高功率密度，使其在高频率范围内保持稳定性能。
　　该器件具有宽工作带宽，适用于多种射频应用，包括蜂窝通信、宽带无线接入和军事通信系统。
　　其高效率特性降低了功耗和散热需求，提高了系统的可靠性和寿命。
　　此外，RF5325SQ 具有良好的线性度和失真性能，支持高保真信号放大，适用于多载波和宽带通信系统。
　　内置的 ESD 保护和过热保护机制增强了器件在恶劣环境下的稳定性与耐用性。

应用

RF5325SQ 主要用于基站、无线基础设施、雷达和测试设备中的射频功率放大器模块。
　　它也广泛应用于工业和军事通信系统，如 LTE 基站、WiMAX 设备和卫星通信系统。
　　由于其高效率和高功率输出特性，该器件还适用于高线性度要求的多载波放大系统。
　　此外，它在测试与测量设备中用作高功率射频信号源，确保设备在各种条件下稳定运行。