时间：2025/6/25 10:39:40
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SEDFN5VD16 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，采用先进的封装设计以优化散热性能和电气特性。该器件专为高频开关应用而设计，能够显著提高功率转换效率并降低系统尺寸。
其主要目标市场包括开关电源、DC-DC 转换器、无线充电设备以及其他需要高频率、低损耗的功率管理场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：5A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252（DPAK）
SEDFN5VD16 具备以下关键特性：
1. 高击穿电压和低导通电阻，提供卓越的功率密度。
2. 极低的栅极电荷使得开关损耗最小化，从而适合高频应用。
3. 内置 ESD 保护电路增强可靠性。
4. 紧凑型表面贴装封装简化 PCB 布局并减少寄生效应。
5. 符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。
此外，其快速开关速度有助于改善电磁兼容性（EMC）表现。
SEDFN5VD16 广泛应用于多种现代电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业级 DC-DC 转换模块。
3. 新能源汽车充电桩的核心功率器件。
4. 便携式设备的无线充电发射端。
5. LED 驱动器及高效照明解决方案。
6. 小型化适配器和快充头设计。
SEDFN5VD17, SEDFN6VD16
