时间：2025/8/5 18:07:25
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IXTY08N100P-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率和高电压应用。这款 MOSFET 具有高耐压和高电流处理能力，适合用于工业电源、电机控制、开关电源（SMPS）等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：1000V
漏极-栅极电压（VDG）：1000V
源极-栅极电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：8A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
IXTY08N100P-TRL 以其高电压和高电流处理能力而著称，能够在极端条件下保持稳定运行。该器件的高耐压能力使其适用于需要高输入电压的应用，例如工业电源和电机控制。此外，该 MOSFET 的低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下的高效能，同时减少了功率损耗和发热。
这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺，提供了卓越的可靠性，即使在高温环境下也能保持稳定。其封装形式（TO-220）具有良好的散热性能，能够有效管理器件在高功率应用中的热量。
此外，IXTY08N100P-TRL 的栅极驱动设计简化了其在电路中的使用，允许通过标准的逻辑电平进行控制。这使得该器件易于集成到各种电路设计中，并确保了与常用控制器和驱动器的兼容性。
IXTY08N100P-TRL 广泛应用于高电压和高功率领域，包括工业电源、电机驱动器、开关电源（SMPS）、逆变器以及各种电源管理系统。它也常用于照明控制、电池充电器和不间断电源（UPS）系统中。
IXTY08N100P, IXTP10N100P, IRFP460A
