2SJ668是一款P沟道场效应晶体管(P-Channel MOSFET),广泛应用于功率开关和放大电路中。该晶体管采用TO-92封装,适用于多种电子设备和电路设计,具有良好的热稳定性和高可靠性。它被常用于低电压和中等功率应用,例如电源管理、电机控制和负载开关等场景。
类型:P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):-30V
最大栅源电压(VGS):-20V
最大漏极电流(ID):-1.5A
导通电阻(RDS(on)):约2.5Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-92
2SJ668具有较低的导通电阻,能够在低电压条件下实现高效的功率传输,同时减少功率损耗。此外,它具备较高的栅极击穿电压,能够在-20V的栅源电压下稳定工作,这使其在多种开关应用中具有更高的可靠性和稳定性。
这款MOSFET采用了高热稳定性的封装技术,使其在高温环境下依然能够正常工作。其TO-92封装形式不仅体积小巧,而且便于安装和散热,非常适合空间受限的电路设计。
在动态特性方面,2SJ668具有较快的开关速度,能够在高频条件下稳定运行,适用于需要快速切换的电路应用。同时,它的漏电流非常小,在关闭状态下可以有效减少能耗,提高系统的能效。
2SJ668还具有良好的抗静电能力,能够承受一定的静电放电(ESD)冲击,从而提高设备的耐用性和使用寿命。
2SJ668主要应用于低电压功率开关电路中,例如电池供电设备的电源管理、小型电机控制以及LED驱动电路。在电池管理系统中,它可以作为负载开关,有效控制电池的充放电过程,延长电池寿命。
在电机控制方面,2SJ668可以作为H桥电路的一部分,控制小型直流电机的正反转和启停操作。由于其导通电阻较小,能够在低电压下实现高效的电机驱动。
此外,该晶体管还可用于音频放大器、信号开关和数字逻辑电路中的驱动元件。其快速开关特性和低功耗设计使其在需要频繁切换的电路中表现出色。
在工业自动化领域,2SJ668可以用于控制继电器、电磁阀等执行器的开启与关闭,提供稳定可靠的功率控制。
2SJ355, 2SJ103, 2SJ162