时间：2025/8/4 16:46:14
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EZ1085CM-3.3.TR 是一颗由 Efficient Power Conversion (EPC) 推出的增强型模式（Enhanced Mode）氮化镓（GaN）功率晶体管。该器件采用先进的GaN-on-Si技术，具有优异的导通和开关性能，适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件的额定输出电压为3.3V，常用于DC-DC转换器、电源模块和电源管理电路中。
类型：氮化镓场效应晶体管（Enhancement Mode GaN FET）
封装类型：表面贴装（SMD）
最大漏源电压（VDS）：200V
最大漏极电流（ID）：25A
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ
栅极驱动电压：5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散：4.5W
EZ1085CM-3.3.TR 采用先进的GaN技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关速度，从而显著降低导通损耗和开关损耗，提高整体系统效率。
该器件支持高达200V的漏源电压和25A的漏极电流，使其适用于中高功率的应用场景，如服务器电源、电信设备和DC-DC转换器。
其增强型模式（常关型）设计提高了器件在实际应用中的安全性和易用性，避免了传统GaN器件需要负压关断的复杂性。
采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理和可靠性，适用于高密度PCB布局设计。
工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
该器件还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的电气性能，从而提高系统整体的可靠性和寿命。
EZ1085CM-3.3.TR 主要应用于高性能电源转换系统，如高效率DC-DC降压转换器、同步整流器、负载点电源（PoL）、服务器电源、电信基础设施设备以及工业自动化和控制系统中的功率管理模块。
此外，该器件也适用于需要高频开关的功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器，以实现更高的功率密度和效率提升。
由于其优异的热性能和可靠性，EZ1085CM-3.3.TR 也广泛用于电动汽车充电模块、储能系统和可再生能源逆变器中的功率转换环节。
该器件还可用于高频电源适配器、LED驱动电源和便携式电子设备中的高效电源管理系统。
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