KDR731S 时间：2025/9/12 12:05:11 阅读：8

KDR731S 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各类高效率、高功率密度的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

KDR731S 具有极低的导通电阻（Rds(on)），通常低于5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　该器件采用了东芝先进的U-MOS技术，使其在高频开关应用中表现出色，同时具备优异的热稳定性。
　　KDR731S 的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适合在高电流条件下运行。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，便于与各种驱动电路兼容。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗过载能力，能够在短时间高电流条件下稳定工作，适用于电机控制、电源转换等对可靠性要求较高的场合。

应用

KDR731S 常用于各类功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，KDR731S 也广泛应用于电动车、储能系统、太阳能逆变器等新能源领域。
　　在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电控系统以及辅助电机驱动电路。
　　此外，KDR731S 还适用于高效率开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）系统，提供稳定可靠的功率控制解决方案。