时间：2025/5/29 12:21:21
阅读：12
SE8250K2-HF是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换的领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。
SE8250K2-HF属于N沟道增强型MOSFET，其设计优化了在高频应用中的表现，同时具备良好的抗电磁干扰能力，适合要求严格的工作环境。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.7mΩ
总栅极电荷：78nC
输入电容：2900pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
SE8250K2-HF具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有效降低功耗。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关性能，适用于高频电路设计。
4. 出色的热稳定性，确保长时间稳定运行。
5. 良好的电气隔离和耐压能力，增强了系统安全性。
6. 小型化封装，节省PCB空间，便于集成。
7. 宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
SE8250K2-HF适用于多种工业和消费电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 笔记本电脑适配器和快速充电器的设计。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRF840, FQP30N06L, STP36NF06
