MDC1000CT1是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管专为高电流和高功率应用设计,适用于各种工业和消费类电子设备中的开关和放大电路。MDC1000CT1采用TO-220封装形式,具备良好的热稳定性和机械强度,适用于需要较高电流承载能力的场景。
类型:NPN晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):100V
最大集电极-基极电压(VCBO):100V
最大发射极-基极电压(VEBO):5V
最大集电极电流(IC):4A
最大功耗(PD):60W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
电流增益(hFE):在IC=2A时,hFE≥20
频率响应:最高工作频率约为3MHz
MDC1000CT1具有高电流放大系数,能够在较大的工作电流范围内保持稳定的增益性能。其高耐压特性使其适用于中高电压的开关和放大电路。此外,TO-220封装提供了良好的散热性能,确保晶体管在高功率工作条件下仍能保持较低的温度。MDC1000CT1还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在恶劣的工业环境中使用。该晶体管的频率响应可达3MHz,适用于中高频应用,如音频放大器和电源管理电路。
MDC1000CT1广泛应用于需要高电流和高功率处理能力的电路中。常见的应用包括电源开关电路、电机控制、继电器驱动、音频放大器、逆变器和工业自动化设备。由于其高可靠性和耐压特性,MDC1000CT1也常用于消费类电子产品和汽车电子系统中的功率控制模块。
MDC1000CT1G, MDC1000CT1R2G, MDC1000CT1R2