时间：2025/9/14 15:25:39
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BUK9Y72-80E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench沟道技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适用于多种高功率开关应用。其封装形式为 TO-220，便于散热和安装，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等电路中。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：80V
连续漏极电流(Id)：70A（Tc=25℃）
漏极脉冲电流(Idm)：280A
导通电阻(Rds(on))：典型值为8.5mΩ，最大值为11mΩ（在Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：1.4V至2.9V
最大功耗(Pd)：130W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220
引脚数：3
BUK9Y72-80E,115 是一款基于先进的沟槽技术制造的功率 MOSFET，具备非常低的导通电阻 Rds(on)，这使得在导通状态下产生的功率损耗大大降低，提高了整体效率。该器件具有较高的电流承载能力，可支持高达70A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压在10V时即可实现导通电阻的最小化，兼容常见的驱动电路。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能承受高达280A的短时脉冲电流，适合应对突发负载的应用场景。此外，其TO-220封装设计有助于快速散热，确保器件在高温环境下稳定运行。
内置的体二极管具有较快的反向恢复时间，特别适合用于同步整流、DC-DC转换器等高频开关应用。其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）使其在恶劣环境条件下仍能保持良好性能，适用于工业控制、汽车电子、服务器电源等多种高要求领域。
BUK9Y72-80E,115 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，如电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器电源和UPS不间断电源等。其优异的导通特性和热性能使其在汽车电子系统中也得到了广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和DC-AC逆变器等。
IRF3710, STP75NF75, FDP8870
