型号：TM90RZ-M
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：7.5A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：30A
　　导通电阻RDS(on)：max 90mΩ @ VGS = 10V, ID = 3.75A
　　阈值电压Vth：min 1.0V, typ 2.0V, max 3.0V
　　输入电容Ciss：约450pF @ VDS=30V, VGS=0V
　　输出电容Coss：约180pF
　　反向传输电容Crss：约50pF
　　栅极电荷Qg：约15nC @ VDS=50V, ID=7.5A, VGS=10V
　　功耗PD：2W（TA=25°C），具体依散热条件而定
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

TM90RZ-M具备出色的电气特性和热性能，其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，典型值仅为90mΩ，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高整体电源转换效率。这一特性使其特别适用于对能效敏感的电池供电设备，例如移动电源、便携式照明系统和小型电机控制系统。由于采用了优化的沟道设计与硅基工艺，该器件在高温环境下仍能保持稳定的RDS(on)表现，避免因温度上升导致的性能下降问题，从而增强了系统长期运行的可靠性。
　　此外，TM90RZ-M具有较快的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg ≈ 15nC）和输入/输出电容，使得其在高频开关应用中能够有效减少开关延迟和动态损耗。这对于诸如同步整流型DC-DC变换器、开关电源（SMPS）及PWM控制电路尤为重要。同时，该MOSFET的阈值电压范围合理（1.0V～3.0V），支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器I/O口或低电压驱动电路控制，简化了外围驱动设计，降低了系统成本。
　　从封装角度来看，SOP-8 Power封装不仅节省空间，还通过暴露焊盘（exposed pad）设计增强了散热能力，允许通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层，进一步提升功率处理能力。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看，TM90RZ-M在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用中的理想选择。

TM90RZ-M广泛应用于多种中低功率电子系统中，尤其适合需要高效能开关控制的场合。典型应用场景包括但不限于：便携式电子设备中的负载开关或电源路径管理，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等产品的电池管理系统；在直流电机驱动电路中作为H桥或半桥拓扑的开关元件，用于小型家电、电动玩具和自动门锁装置中；此外，它也常用于同步降压型DC-DC转换器中作为下管（low-side switch），配合控制器实现高效的电压调节功能，常见于主板供电、FPGA或MCU的核心电压供应模块。
　　在LED照明领域，TM90RZ-M可用于恒流驱动电路中的开关调节部分，特别是在PWM调光控制方案中表现出良好的响应速度和稳定性。同时，由于其具备一定的电流承载能力和热稳定性，也可用于USB充电端口的过流保护与电源切换控制，确保外设连接时的安全性与兼容性。工业控制方面，该器件可用于PLC模块、传感器供电开关或继电器替代方案中，实现固态开关的静音操作与长寿命运行。总体而言，凡是在60V以下电压平台、需要中等电流开关能力（7A左右）且注重效率与体积比的应用，TM90RZ-M均是一个可靠的技术选项。

TK090RZ,M90RZ,TMN60R090P