TM90RZ-M是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品,属于东芝通用功率MOSFET系列中的一员。该器件主要面向中低压开关应用设计,适用于多种电源管理场景,如DC-DC转换器、电机驱动电路、电池供电设备以及各类消费类电子产品中的开关控制模块。TM90RZ-M采用先进的沟道型工艺技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))、快速开关响应和良好的热稳定性等优点,能够在高效率和高可靠性要求的应用中发挥出色性能。该MOSFET为N沟道结构,工作电压适中,适合在便携式设备和嵌入式系统中使用,以实现紧凑化设计与节能目标。其封装形式通常为SOP或类似小型化表面贴装封装,便于自动化贴片生产,并有助于提升PCB布局的灵活性与散热效率。
型号:TM90RZ-M
制造商:Toshiba
晶体管类型:N沟道MOSFET
漏源电压VDS:60V
栅源电压VGS:±20V
连续漏极电流ID:7.5A(@TC=25°C)
脉冲漏极电流IDM:30A
导通电阻RDS(on):max 90mΩ @ VGS = 10V, ID = 3.75A
阈值电压Vth:min 1.0V, typ 2.0V, max 3.0V
输入电容Ciss:约450pF @ VDS=30V, VGS=0V
输出电容Coss:约180pF
反向传输电容Crss:约50pF
栅极电荷Qg:约15nC @ VDS=50V, ID=7.5A, VGS=10V
功耗PD:2W(TA=25°C),具体依散热条件而定
工作结温范围TJ:-55°C 至 +150°C
存储温度范围Tstg:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOP-8(Power SOP)
安装类型:表面贴装(SMD)
TM90RZ-M具备出色的电气特性和热性能,其核心优势之一是低导通电阻RDS(on),典型值仅为90mΩ,在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗,提高整体电源转换效率。这一特性使其特别适用于对能效敏感的电池供电设备,例如移动电源、便携式照明系统和小型电机控制系统。由于采用了优化的沟道设计与硅基工艺,该器件在高温环境下仍能保持稳定的RDS(on)表现,避免因温度上升导致的性能下降问题,从而增强了系统长期运行的可靠性。
此外,TM90RZ-M具有较快的开关速度,得益于较低的栅极电荷(Qg ≈ 15nC)和输入/输出电容,使得其在高频开关应用中能够有效减少开关延迟和动态损耗。这对于诸如同步整流型DC-DC变换器、开关电源(SMPS)及PWM控制电路尤为重要。同时,该MOSFET的阈值电压范围合理(1.0V~3.0V),支持逻辑电平驱动,可直接由微控制器I/O口或低电压驱动电路控制,简化了外围驱动设计,降低了系统成本。
从封装角度来看,SOP-8 Power封装不仅节省空间,还通过暴露焊盘(exposed pad)设计增强了散热能力,允许通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至内部地层或散热层,进一步提升功率处理能力。该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。综合来看,TM90RZ-M在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是中小功率开关应用中的理想选择。
TM90RZ-M广泛应用于多种中低功率电子系统中,尤其适合需要高效能开关控制的场合。典型应用场景包括但不限于:便携式电子设备中的负载开关或电源路径管理,如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等产品的电池管理系统;在直流电机驱动电路中作为H桥或半桥拓扑的开关元件,用于小型家电、电动玩具和自动门锁装置中;此外,它也常用于同步降压型DC-DC转换器中作为下管(low-side switch),配合控制器实现高效的电压调节功能,常见于主板供电、FPGA或MCU的核心电压供应模块。
在LED照明领域,TM90RZ-M可用于恒流驱动电路中的开关调节部分,特别是在PWM调光控制方案中表现出良好的响应速度和稳定性。同时,由于其具备一定的电流承载能力和热稳定性,也可用于USB充电端口的过流保护与电源切换控制,确保外设连接时的安全性与兼容性。工业控制方面,该器件可用于PLC模块、传感器供电开关或继电器替代方案中,实现固态开关的静音操作与长寿命运行。总体而言,凡是在60V以下电压平台、需要中等电流开关能力(7A左右)且注重效率与体积比的应用,TM90RZ-M均是一个可靠的技术选项。
TK090RZ,M90RZ,TMN60R090P