时间：2025/6/5 10:28:23
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SE5VUBN062 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够在高频应用中提供高效的功率转换。
SE5VUBN062 的封装形式通常为 TO-252 或 SOT-23，具体取决于制造商的设计标准，同时它也支持表面贴装技术 (SMT)，方便自动化生产和紧凑设计需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：140mΩ
总功耗：860mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
SE5VUBN062 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 具备较强的雪崩能力和鲁棒性，能够承受瞬态电压冲击。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 可靠的电气性能，在恶劣环境下也能保持稳定工作。
SE5VUBN062 主要用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
3. 电机驱动和逆变器电路中的功率开关。
4. 各类保护电路，如过流保护、短路保护。
5. 工业控制设备中的信号隔离与功率传输。
6. 消费电子产品的充电管理模块。
7. 通信设备中的高效功率转换方案。
AO3400A, FSS138
