时间：2025/8/13 22:47:34
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LMBT6428LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），广泛应用于需要高频率和高增益的场合。该晶体管采用 SOT-23 小型封装，适合在空间受限的设计中使用。LMBT6428LT1G 的设计使其在高频操作中表现出色，同时具备较高的电流处理能力，适用于放大器、开关电路以及各种通用电子电路。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极电流 (Ic)：100 mA
最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
最大功耗：300 mW
频率响应：100 MHz
增益带宽积 (fT)：100 MHz
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 150°C
LMBT6428LT1G 具有多个显著的电气和物理特性，使其在各种应用中表现出色。
首先，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，使其能够在需要较高电流处理能力的电路中使用，同时保持良好的稳定性。其最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30 V，这使得它在中等电压应用中表现出色。
其次，该晶体管的频率响应为 100 MHz，增益带宽积 (fT) 同样为 100 MHz，这意味着它可以在高频应用中提供稳定的放大性能，适用于射频 (RF) 和高速开关电路。
此外，LMBT6428LT1G 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用。其最大功耗为 300 mW，能够在有限的散热条件下正常工作。工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在极端环境条件下也能保持稳定性能。
最后，该晶体管的高可靠性以及 ON Semiconductor 的优质制造工艺确保了其长寿命和稳定的工作表现，适合用于工业和消费类电子产品。
LMBT6428LT1G 主要应用于需要高频操作和中等电流处理能力的电子电路中。
在放大器电路中，LMBT6428LT1G 由于其高频率响应和良好的增益特性，常用于射频 (RF) 放大器和中频放大器设计。它能够提供稳定的增益，适用于无线通信设备、天线放大器以及其他射频系统。
在开关电路中，该晶体管可以用于高速开关应用，如数字电路中的信号切换和驱动电路。其较高的电流处理能力使其适合用于驱动小型继电器、LED 阵列或小型电机。
此外，LMBT6428LT1G 还广泛应用于各种通用电子电路中，如电源管理模块、传感器接口电路以及模拟信号处理电路。由于其小型封装，它特别适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
工业控制和自动化系统中，该晶体管可用于信号放大和开关控制，适用于工业通信模块、PLC 输入/输出接口等应用场景。
BC847 NPN, 2N3904, PN2222A
