CJP02N80 时间：2025/8/16 23:56:09 阅读：21

CJP02N80 是一款由 CJ（长电科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统以及其他高功率密度电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合中高功率应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

CJP02N80 以其优异的电气特性和高可靠性著称。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源电压可达 800V，适用于高电压输入的开关电源和 AC-DC 转换器。
　　2. 低导通电阻：典型 RDS(on) 仅为 3.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高功率耗散能力：50W 的最大功耗使其能够承受较高的工作电流，适用于功率密度较高的设计。
　　4. 热稳定性好：采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
　　5. 栅极保护设计：±30V 的栅源电压耐受能力，提高了器件在高频开关应用中的可靠性。
　　6. 环保封装：符合 RoHS 标准，适用于工业级和消费类电子产品的环保设计。

应用

CJP02N80 主要用于以下应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器，适用于宽电压输入范围的电源适配器、充电器等。
　　2. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路，提供高效的功率开关功能。
　　3. DC-DC 转换器：适用于隔离和非隔离型升压、降压电路，如 LED 驱动电源、电机控制电路等。
　　4. 家用电器：用于电磁炉、微波炉、电饭煲等家电中的功率控制模块。
　　5. 工业控制：如变频器、伺服驱动器中的功率开关器件。
　　6. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率开关。