时间：2025/7/17 20:12:17
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IRFF130是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制和负载管理等多种工业及消费类电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds)：100V
最大连续漏极电流(Id)：1A
栅极-源极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
工作温度范围：-55°C~+150°C
封装形式：TO-92
IRFF130的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；具备较高的耐压能力，允许在较高电压环境中稳定运行；其栅极驱动要求较低，简化了电路设计，并支持快速开关操作，从而降低开关损耗。
此外，IRFF130采用标准TO-92封装，适合印刷电路板（PCB）安装，并具有良好的热稳定性，能够在各种环境条件下保持性能稳定。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅制造工艺。
IRFF130还内置有静电放电（ESD）保护功能，增强了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下工作的可靠性。
IRFF130广泛应用于多个领域，如电源管理系统中的DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电池充电设备以及小型电机控制器。由于其具备较高的电压额定值和良好的热性能，它也常被用于家电、自动化控制系统和工业仪器仪表中作为高效开关元件。此外，在需要低功耗、小尺寸解决方案的设计中，IRFF130是一个理想的选择。
2N7000, BS170
