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RCX450N20 发布时间 时间:2025/12/25 11:14:17 查看 阅读:17

RCX450N20是一款由Renesas Electronics(瑞萨电子)推出的高性能、高可靠性的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为中高功率电力电子应用设计。该器件结合了先进的IGBT芯片技术和优化的封装结构,能够在高频开关条件下实现低导通损耗与快速开关性能的平衡。RCX450N20采用第六代沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)IGBT技术,具备优异的电流处理能力与热稳定性,适用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电焊机以及感应加热等应用场景。该模块通常以半桥或单管形式封装,具备低热阻、高绝缘耐压和紧凑结构的特点,便于系统集成与散热管理。其额定电压为1200V,最大连续集电极电流可达450A,短时脉冲电流能力更高,能够满足瞬态过载需求。此外,RCX450N20内部集成了负温度系数(NTC)热敏电阻,用于实时监测模块温度,提升系统的安全性和可靠性。该模块符合RoHS环保标准,并通过了多项国际认证,确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。

参数

型号:RCX450N20
  制造商:Renesas Electronics
  器件类型:IGBT模块
  集电极-发射极击穿电压(Vces):1200 V
  栅极-发射极电压范围(Vge):±20 V
  额定集电极电流(Ic):450 A @ 25°C
  峰值集电极电流(Icp):900 A
  饱和压降(Vce(sat)):约2.1 V @ Ic = 450A, Vge = 15V
  工作结温范围(Tj):-40 °C 至 +150 °C
  存储温度范围(Tstg):-40 °C 至 +150 °C
  热阻(Rth(j-c)):典型值0.15 °C/W
  开关频率:最高可达50 kHz(取决于散热条件)
  隔离电压(Viso):2500 Vrms / min
  封装形式:P型模块封装(具体尺寸依数据手册为准)
  内置NTC:是

特性

RCX450N20采用瑞萨第六代沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT芯片技术,这一技术显著降低了导通损耗与开关损耗之间的权衡矛盾。通过优化电场分布与载流子寿命控制,使得器件在保持高击穿电压的同时,大幅降低Vce(sat),从而减少导通期间的能量损耗,提高整体能效。该模块具有极快的开关速度,配合优化的门极驱动设计,可有效缩短开通与关断时间,降低开关过程中的重叠损耗,适用于高频PWM控制场合。其反向并联二极管也经过特别设计,具备软恢复特性,减小了反向恢复电流尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统EMC性能。
  在可靠性方面,RCX450N20采用高强度铝线键合工艺与高纯度陶瓷基板(如Al2O3或AlN),确保良好的热传导与机械稳定性。模块内部结构经过优化布局,减少了寄生电感,有助于抑制电压过冲和振荡现象,特别是在大电流快速切换时表现优异。此外,集成的NTC热敏电阻位于IGBT芯片附近,能够准确反映核心温升,为控制系统提供及时的温度反馈,支持智能温控保护策略,防止过热损坏。
  该模块还具备出色的抗湿热性能与长期老化稳定性,适用于工业级严苛环境。其外部绝缘材料具备高CTI( Comparative Tracking Index)值,增强了爬电距离安全性。整体封装符合UL、VDE等国际安全标准,支持直接安装于散热器上,简化了系统装配流程。得益于模块化设计,RCX450N20易于替换与维护,广泛应用于需要高功率密度与高效率转换的现代电力电子设备中。

应用

RCX450N20广泛应用于各类中高功率电力变换系统中。在工业自动化领域,它常被用于交流伺服驱动器与变频器中,作为主逆变桥的核心开关元件,实现对三相异步电机的精确调速与高效控制。在新能源领域,该模块适用于光伏并网逆变器,能够将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网要求的交流电,支持最大功率点跟踪(MPPT)算法的实施,并在昼夜负载变化下保持高转换效率。在储能系统与不间断电源(UPS)中,RCX450N20可用于双向DC-AC变换器,保障关键设备在断电情况下的持续供电。
  此外,该模块也适合用于感应加热设备,如中频熔炼炉、电磁炉等,利用其高频开关能力产生交变磁场,实现金属材料的非接触加热。在电焊机电源中,RCX450N20可构成全桥或半桥拓扑结构,提供稳定的焊接电流输出,支持多种焊接模式(如MIG/MAG、TIG)。由于其高电流承载能力和良好的热管理特性,该模块也可用于电动汽车充电桩的DC-DC或AC-DC转换阶段,尤其是在大功率快充系统中表现出色。总之,凡是需要高效率、高可靠性和高功率密度的电力电子装置,RCX450N20都是理想的选择之一。

替代型号

CM450HA-24H
  2MBI450U2E-120

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RCX450N20参数

  • 现有数量157现货
  • 价格1 : ¥24.09000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)55 毫欧 @ 22.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)80 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4200 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.23W(Ta),40W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 封装/外壳TO-220-3 整包