MB8287-25 时间：2025/9/24 15:39:52 阅读：7

MB8287-25是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高速CMOS SRAM系列，广泛应用于需要快速数据存取和稳定运行的电子系统中。MB8287-25采用先进的制造工艺，具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，适用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统等对可靠性要求较高的场合。该芯片封装形式通常为DIP（双列直插式封装）或SOIC（小外形集成电路封装），便于在各种PCB布局中使用，并支持宽电压工作范围，增强了其在不同电源环境下的适应性。作为一款异步SRAM，MB8287-25不需要时钟信号即可完成读写操作，通过地址线和控制线（如片选CE、输出使能OE、写使能WE）实现对存储单元的直接访问，从而简化了系统设计并提高了响应速度。

参数

型号：MB8287-25
　　制造商：Fujitsu
　　类型：异步CMOS SRAM
　　存储容量：8K x 8位（64Kbit）
　　电源电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　访问时间：25ns
　　封装类型：28引脚 DIP 或 SOIC
　　组织结构：8192字 × 8位
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大静态电流：20μA（典型值）
　　最大动态电流：35mA（典型值）
　　读写操作模式：异步读写
　　片选信号：CE（低电平有效）
　　输出使能：OE（低电平有效）
　　写使能：WE（低电平有效）

特性

MB8287-25具有出色的高速存取能力，其最大访问时间为25纳秒，能够在极短时间内完成数据的读取或写入操作，适用于对响应速度要求较高的实时系统。该芯片采用CMOS技术制造，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗表现，尤其在待机状态下静态电流极低，有助于延长电池供电系统的使用寿命。
　　该SRAM器件具备全静态设计，无需刷新操作即可保持数据完整性，减轻了处理器或控制器的管理负担。其所有输入端口均具备施密特触发器功能，提升了噪声抑制能力，增强了在复杂电磁环境中工作的稳定性与可靠性。此外，MB8287-25的输出驱动能力较强，可直接驱动多个TTL负载，适用于总线型架构中的多设备共享数据通道。
　　该芯片支持三态输出控制，允许多个存储器或其他外设共享同一组数据总线，通过片选和输出使能信号实现精确的数据隔离与选择。其引脚排列符合行业标准，便于替换同类产品或进行系统升级。MB8287-25还具备良好的热稳定性与长期工作可靠性，经过严格的老化测试和质量控制流程，确保在长时间运行中不会出现数据丢失或性能下降现象。
　　由于采用了成熟的半导体工艺，MB8287-25在成本与性能之间达到了良好平衡，是许多传统工业和通信设备中的首选SRAM解决方案。尽管随着新型低功耗、高密度存储器的发展，该型号已逐渐被更新的产品替代，但在一些维护现有设备或兼容老式系统的场景中仍具有重要价值。

应用

MB8287-25主要用于各类需要高速、可靠、非易失性无关存储的电子系统中。典型应用包括工业自动化控制系统中的缓存存储单元，用于暂存传感器数据或控制指令；在通信设备如路由器、交换机和调制解调器中作为帧缓冲区或协议处理临时存储空间；在测试测量仪器中用于高速采样数据的临时保存与快速读取；以及在嵌入式微控制器系统中扩展主控芯片的RAM资源。
　　此外，该芯片也常见于老式计算机外围设备、打印机控制器、POS终端和医疗设备中，承担程序执行过程中的变量存储和中间计算结果缓存任务。由于其TTL电平兼容性和简单的接口时序，MB8287-25非常适合与多种8位或16位微处理器（如Z80、8086、68000系列）配合使用，构建稳定的嵌入式硬件平台。
　　在军事和航空航天领域的一些遗留系统中，MB8287-25也曾被采用，因其具备一定的抗辐射能力和宽温工作潜力（部分军用版本）。目前虽然主流设计已转向更先进的低电压、低功耗SRAM或DRAM方案，但在设备维修、备件替换和技术升级过渡阶段，MB8287-25仍然是重要的元器件选择之一。