时间：2025/5/21 13:59:40
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SE5VLVBN102 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换等领域。
该型号具有出色的热性能和电气特性，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的要求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：2A
导通电阻：45mΩ
总功耗：1.3W
结温范围：-55℃ 至 150℃
SE5VLVBN102 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸，节省 PCB 空间。
4. 强大的抗静电能力 (ESD)，提高可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 良好的热稳定性和耐久性，适应恶劣工作环境。
该元器件适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池保护电路和负载开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. LED 驱动器和背光调节。
5. 各种消费类电子产品中的信号切换功能。
其紧凑的设计和高效性能使其成为众多应用的理想选择。
IRLZ44N, SI2302DS
