BUK7Y7R6-40E 时间：2025/4/30 19:47:48 阅读：17

BUK7Y7R6-40E是一款由安森美（onsemi）生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用SuperFET II技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于高频开关应用。其小型化的封装形式使其非常适合于空间受限的设计环境。
　　该MOSFET广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电源管理等应用中，能够提供高效的功率转换和良好的热性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：31A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极阈值电压：1.2V~2.8V
　　总功耗：29W
　　工作温度范围：-55℃~175℃
　　封装形式：TO-263-3

特性

BUK7Y7R6-40E采用了先进的SuperFET II技术，具备超低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。此外，该器件的快速开关能力使其能够在高频应用中保持高效性能。
　　由于其高雪崩能量能力和强固的设计，这款MOSFET能够在严苛的工作条件下稳定运行。其耐高温能力进一步增强了器件的可靠性。
　　小型化封装设计使得BUK7Y7R6-40E在不牺牲性能的前提下，能够适应更加紧凑的电路板布局需求。

应用

BUK7Y7R6-40E适用于多种功率转换和控制场景，包括但不限于：
　　- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
　　- DC-DC转换器中的主开关
　　- 各类负载开关应用
　　- 小型电机驱动
　　- 电池管理系统中的功率路径控制
　　其高效率和紧凑封装使其成为便携式设备、汽车电子以及工业自动化等领域的理想选择。