时间：2025/8/7 9:15:57
阅读：16
BRD1267C-TL 是一款由 Rohm（罗姆）公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件专为高效率、高功率密度的应用设计，适用于需要高开关速度和低导通电阻的场景。BRD1267C-TL 采用先进的半导体制造工艺，确保在高温和高负载条件下仍能保持稳定性能。其封装形式为紧凑型表面贴装封装（SOP），便于在现代电子产品中实现高密度组装。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：30 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
最大漏极电流 (Id)：60 A
导通电阻 (Rds(on))：12.5 mΩ（典型值）
功耗 (Pd)：100 W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
BRD1267C-TL MOSFET 具备多项卓越特性，使其成为高性能功率电子设计的理想选择。
首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 仅为 12.5 mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这种低 Rds(on) 特性尤其适合需要高电流能力的应用，例如电源转换器、电机驱动器和电池管理系统。
其次，该器件的最大漏极电流可达 60 A，能够支持高功率应用的需求。同时，其最大漏源电压为 30 V，适用于中低压功率转换场景。栅源电压范围为 ±20 V，确保在不同栅极驱动条件下都能保持稳定工作。
此外，BRD1267C-TL 采用热性能优越的 SOP 封装，有助于有效散热，延长器件寿命。其工作温度范围宽至 -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境下的应用需求。
该 MOSFET 的高可靠性设计使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，并支持更高的工作频率。这使得设计者可以在保持效率的同时减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统的功率密度。
最后，BRD1267C-TL 的制造工艺符合 RoHS 标准，支持环保电子产品的设计。
BRD1267C-TL 广泛应用于多种高功率密度和高效率需求的电子系统中。在电源管理领域，它常用于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电池充电器等电路中，帮助提高能量转换效率并减少发热。
在电机控制方面，BRD1267C-TL 可用于直流电机驱动器和步进电机控制器，其高电流能力和低导通电阻可确保电机运行平稳且高效。
此外，该 MOSFET 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS），其宽温度范围和高可靠性使其在恶劣的汽车环境中表现优异。
消费类电子产品如笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器也常常采用 BRD1267C-TL 来实现高效能电源管理。
工业自动化和物联网（IoT）设备中，BRD1267C-TL 用于负载开关、继电器替代和功率分配系统，以提供可靠的高功率控制。
SiSS260N, IRF6718, SQJA40EP, BRD1267C-TL 是一款 N 沟道 MOSFET，如果需要寻找替代型号，可以考虑以下具有相似电气特性和封装形式的器件：SiSS260N、IRF6718、SQJA40EP、FDMS86180 和 CSD17579Q3。
