BSP250是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,非常适合于需要高效能和小尺寸设计的应用环境。
BSP250以其出色的电气特性和可靠性成为许多工业及消费类电子产品中的关键组件。它能够承受较高的漏源电压,并在高频开关条件下保持较低的功耗。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:14A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:8nC
总电容(输入、输出、反向传输):230pF
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高效率:BSP250具备非常低的导通电阻,这使得它在导通状态下的功耗显著降低,提高了整体系统效率。
2. 快速开关性能:得益于其较小的栅极电荷,BSP250能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗并提升动态响应速度。
3. 热稳定性强:由于采用了先进的制造工艺,该器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
4. 小型化设计:TO-252封装使其适用于空间受限的设计场景,同时具备良好的散热性能。
5. 高可靠性和长寿命:经过严格的质量控制和测试流程,确保了BSP250在各种恶劣环境下依然可以稳定运行。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理与保护
6. 消费电子设备中的电源管理模块
7. 工业自动化控制系统中的信号切换
IRF540N
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