SE5D15U36A是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功率损耗并提升系统性能。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极电流的开关状态。其优化的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
型号:SE5D15U36A
类型:N沟道功率MOSFET
额定电压:500V
额定电流:15A
导通电阻:0.18Ω
最大功耗:20W
栅极电荷:25nC
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
SE5D15U36A的主要特性包括:
1. 高额定电压(500V),适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻(0.18Ω),有效减少导通时的功率损耗。
3. 良好的开关特性,支持高频操作,适合各种开关电源设计。
4. 极低的栅极电荷(25nC),提高了开关速度并降低了驱动功耗。
5. 宽广的工作温度范围(-55℃至+150℃),确保在极端条件下依然保持可靠性能。
6. TO-220封装,便于安装和散热管理。
SE5D15U36A适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器,用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路,提供精确的电流控制。
4. 电池充电器,实现快速充电功能。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 其他需要高效功率切换的应用领域。
IRF540N
STP16NF50
FQP16N50