时间：2025/7/26 7:36:43
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21FQ040 是一款由 Microchip Technology 生产的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。NVSRAM 结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储器（如 EEPROM 或 Flash）的数据保持能力。在断电情况下，21FQ040 能够通过内置的锂电池或电容自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储单元中，确保数据不丢失。该芯片广泛应用于需要高速数据访问和断电数据保护的场景，如工业控制、数据记录、网络设备、医疗设备等。
容量：4Mbit（512K x 8）
访问时间：55ns
工作电压：3.3V 或 5V
封装类型：TSOP/PLCC
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行异步接口
数据保持时间：10年（典型值）
21FQ040 的核心特性在于其将高速 SRAM 与非易失性数据存储结合的能力。其 SRAM 部分提供与标准异步SRAM相同的读写速度，访问时间可低至55ns，适合需要快速响应的应用场景。
在电源失效或系统断电时，芯片会自动将 SRAM 中的数据保存到非易失性存储单元中，通常通过内置的锂电池或外部电容供电完成。这一过程无需软件干预，确保了数据的完整性与可靠性。
此外，21FQ040 支持硬件写保护功能，防止在断电或电源不稳定期间对非易失性存储单元进行意外写入。其支持的电源电压为3.3V或5V，增强了其在不同系统设计中的兼容性。
该芯片采用标准的并行接口设计，兼容多种微处理器和控制器，简化了系统集成过程。其封装形式包括TSOP和PLCC，适合空间受限的嵌入式应用。
21FQ040 的数据保持时间可达10年以上，适合需要长期数据存储的工业和通信设备使用。
21FQ040 适用于需要高速数据存取和断电数据保护的多种应用场景。在工业自动化领域，它可用于PLC控制器、传感器节点和远程监测设备，以确保关键数据在断电时不丢失。
在通信设备中，该芯片可用于路由器、交换机和基站控制模块，存储配置信息、运行日志和临时数据。
在医疗设备方面，21FQ040 可用于诊断仪器和生命监测系统，确保患者数据在突发断电时仍能安全保存。
此外，该芯片也适用于智能电表、安防系统、POS终端等需要高可靠性数据存储的嵌入式系统。
STK14C88, FM18W08, AB1805
