NIS1050MNTBG 时间：2025/4/29 9:16:56 阅读：4

NIS1050MNTBG是一种高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，同时具备良好的散热性能。

参数

型号：NIS1050MNTBG
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：50V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.8mΩ
　　Id（连续漏极电流）：94A
　　Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V~4.0V
　　Qg（总栅极电荷）：57nC
　　EAS（雪崩能量）：1.2J
　　封装：TO-263（D2PAK）

特性

NIS1050MNTBG具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 较低的栅极电荷，有助于实现快速开关和降低开关损耗。
　　3. 高电流处理能力（最大94A），适用于大功率应用场景。
　　4. 宽泛的工作电压范围（高达50V），适应多种电路设计需求。
　　5. 具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
　　6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
　　7. 采用D2PAK封装，方便自动化生产和安装，同时提供优秀的散热性能。

应用

NIS1050MNTBG由于其卓越的性能和可靠性，广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 负载开关和保护电路中的电子保险丝。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）及逆变器组件。
　　7. 各类消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。