TIBPAL16R6-20M 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,主要应用于高频、高效能的电力电子领域。这款器件采用常关型设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。
该型号属于英飞凌(Infineon)推出的CoolGaN系列,封装形式为SMD(表面贴装),能够显著提升系统的功率密度和效率。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:16A
导通电阻:160mΩ
栅极电荷:75nC
开关频率:高达20MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
TIBPAL16R6-20M 的核心优势在于其卓越的性能表现:
1. 极低的导通电阻使得传导损耗大幅降低,从而提高整体效率。
2. 高速开关能力允许使用更小的磁性元件,进一步减小系统尺寸。
3. GaN 技术带来的高耐压特性使其适用于广泛的输入电压范围。
4. 内置保护功能增强了可靠性,例如过流保护和短路耐受能力。
5. 与传统硅基 MOSFET 相比,其热性能更优,能够在高温环境下长期稳定运行。
TIBPAL16R6-20M 广泛用于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器,包括电信和服务器领域的高效率电源模块。
3. 工业电机驱动及逆变器,提供紧凑型设计解决方案。
4. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器。
5. 光伏微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
TIBPAK16R6-20M, TIBPAL16R6-10M