您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SE36T2U02GT

SE36T2U02GT 发布时间 时间:2025/5/23 5:45:20 查看 阅读:14

SE36T2U02GT是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特点,适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

型号:SE36T2U02GT
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅极源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
  总功耗(Ptot):350W
  工作温度范围(Top r):-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

SE36T2U02GT具有非常低的导通电阻,仅为1.8mΩ,这使得其在大电流应用中表现出色,能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
  此外,该器件支持高达60V的漏源电压,确保了在多种电压环境下的稳定运行。
  它的栅极电荷较低,有助于降低开关损耗,从而实现更快的开关速度和更高的工作频率。
  同时,SE36T2U02GT采用了TO-247封装形式,这种封装具备良好的散热性能,可有效延长器件使用寿命,并保证其在高温条件下的可靠性。
  另外,这款MOSFET的工作温度范围宽广,从-55℃到+175℃,适应各种极端环境。

应用

SE36T2U02GT主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC转换器和DC/DC转换器。
  2. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制器。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制和保护功能。

替代型号

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP55NF06L

SE36T2U02GT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价