时间：2025/5/23 5:45:20
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SE36T2U02GT是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特点，适用于各种需要高效能和高可靠性的应用场景。
型号：SE36T2U02GT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总功耗(Ptot)：350W
工作温度范围(Top r)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
SE36T2U02GT具有非常低的导通电阻，仅为1.8mΩ，这使得其在大电流应用中表现出色，能够有效减少能量损耗并提升系统效率。
此外，该器件支持高达60V的漏源电压，确保了在多种电压环境下的稳定运行。
它的栅极电荷较低，有助于降低开关损耗，从而实现更快的开关速度和更高的工作频率。
同时，SE36T2U02GT采用了TO-247封装形式，这种封装具备良好的散热性能，可有效延长器件使用寿命，并保证其在高温条件下的可靠性。
另外，这款MOSFET的工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，适应各种极端环境。
SE36T2U02GT主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC/DC转换器和DC/DC转换器。
2. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制器。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制和保护功能。
IRFZ44N
FDP55N06L
STP55NF06L
