制造商：SK Hynix
　　型号：HY27US08561MTPCB
　　类型：NAND Flash
　　容量：512MB
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口：8位并行I/O接口
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）或0°C 至 +70°C（商业级）
　　擦写周期：10万次（典型）
　　数据保持时间：10年

HY27US08561MTPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，具有大容量和低功耗的特点。其采用的TSOP封装技术有助于减小芯片体积，同时提升散热性能，适合在嵌入式设备中使用。该芯片支持页（Page）编程和块（Block）擦除操作，具有较高的读写效率。此外，HY27US08561MTPCB 还内置错误检测和纠正机制，以提高数据的可靠性和完整性。
　　该芯片的8位并行I/O接口使其能够与多种主控芯片兼容，例如ARM架构的嵌入式处理器、FPGA、MCU等，方便系统集成。其支持的宽电压范围（2.7V至3.6V）增强了其在不同电源环境下的适应能力，适用于电池供电设备。HY27US08561MTPCB 的擦写寿命高达10万次，数据保持时间长达10年，适用于中等写入强度的应用场景。
　　该NAND闪存还具备自动读取重试功能，在遇到数据读取失败时可尝试不同的读取策略，提高数据恢复能力。同时，它支持硬件写保护功能，可防止意外写入或擦除操作，确保关键数据的安全。

HY27US08561MTPCB 主要用于嵌入式系统的数据存储，如工业控制设备、车载导航系统、安防监控设备、医疗设备、智能家电等。由于其高可靠性与低功耗特性，也适用于手持设备、数码相机、MP3播放器、电子书阅读器等消费类电子产品。此外，该芯片还可作为固态硬盘的存储单元，用于数据缓存或系统启动存储。

HY27US08561A0B4A、HY27US08121BCTR-B、K9F5608U0C-SIB0、MT29F4G08ABADAWP