时间：2025/6/3 12:35:05
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RMW280N03是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，具有较低的导通电阻和较高的开关频率，适用于各种电源管理、DC-DC转换器以及通信设备中的射频应用。RMW280N03以其高性能和可靠性在工业电子领域得到了广泛应用。
额定电压：300V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：超过5MHz
封装形式：TO-247
RMW280N03的核心特性在于其使用了氮化镓材料，这使得它在高频工作条件下仍能保持高效性能。
1. 高效性：由于其低导通电阻特性，能够显著降低传导损耗。
2. 快速切换：其高开关频率使其非常适合于高频电源转换应用。
3. 热稳定性：采用了高效的散热设计，确保长时间运行时的温度稳定性。
4. 小尺寸封装：相比传统硅基MOSFET，GaN器件通常具有更小的体积和更高的功率密度。
5. 可靠性：经过严格的测试流程，确保在恶劣环境下也能稳定工作。
RMW280N03广泛应用于需要高效率和高频率的场景中，例如数据中心电源、通信基站电源模块、电动汽车车载充电器、无线充电设备以及各类工业自动化系统中的功率转换部分。此外，该器件还可用于音频放大器、电机驱动等对效率要求较高的场合。
RMW280N02, RMW280N04
