SDV1608E090C800NPTF是一种肖特基二极管阵列(Schottky Diode Array),主要用于ESD(静电放电)保护和信号线路的瞬态电压抑制。该器件具有低电容和低漏电流特性,非常适合高速数据线和射频应用中的过压保护。其封装形式为DFN(小外形无引脚封装),能够有效节省PCB空间并提高散热性能。
该器件由多个肖特基二极管组成,能够在多条信号线上提供对地和电源轨的双向保护。其设计符合AEC-Q101标准,因此广泛应用于汽车电子、工业设备以及消费类电子产品中。
工作电压:9V
峰值脉冲电流:8A
最大反向工作电压:9V
最大正向浪涌电流:8A
结电容:0.5pF
响应时间:<1ns
封装形式:DFN-8
工作温度范围:-55℃至+150℃
SDV1608E090C800NPTF具备以下主要特性:
1. 超低电容设计,适合高速数据线路保护。
2. 双向保护能力,可同时对地和电源轨进行防护。
3. 快速响应时间,能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
4. 高可靠性,符合汽车级AEC-Q101认证。
5. 小型化DFN封装,便于在紧凑型设计中使用。
6. 耐受高达8A的峰值脉冲电流,确保在极端条件下的稳定运行。
7. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
该器件适用于以下应用场景:
1. 汽车电子系统中的CAN/LIN总线保护。
2. USB接口、HDMI接口和其他高速数据线的ESD保护。
3. 工业自动化设备中的信号线路保护。
4. 移动通信设备中的射频前端保护。
5. 消费类电子产品中的音频/视频信号线防护。
由于其高性能和高可靠性,SDV1608E090C800NPTF特别适合需要严格电磁兼容性和可靠性的场合。
SDV1608E090C800NPBF, PESD8V0X1BA, SMAJ9.0A