类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装形式：SOT-23
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1.5A
　　正向压降（VF）：典型值0.38V @ 100mA，最大值0.55V @ 300mA
　　反向漏电流（IR）：最大值0.5μA @ 25°C，25μA @ 100°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（JA）：约250°C/W（在FR-4 PCB上）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns

FMLG12的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降。在典型工作条件下，当通过100mA电流时，其正向压降仅为0.38V左右，最高不超过0.55V，在300mA满载情况下仍保持较低水平。这一特性显著降低了功率损耗，提高了系统整体能效，尤其适用于电池供电设备中以延长续航时间。同时，由于肖特基二极管的载流子传输机制主要依赖多数载流子，因此不存在少数载流子存储效应，从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr ≤ 5ns）。这意味着在高频开关电路中，例如开关模式电源或高速信号整流应用中，FMLG12能够有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和响应速度。
　　FMLG12内部集成两个独立的肖特基二极管，采用共阴极连接方式，这种设计非常适合用于双路电源路径管理、双通道信号解耦或双线制接口保护电路中。例如，在USB数据线保护电路中，可以利用这两个二极管分别对D+和D-信号线进行瞬态电压抑制和静电放电（ESD）防护。此外，该器件的SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现高效的热量传导，确保长时间工作的可靠性。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。
　　另一个重要特性是其优异的反向漏电流控制能力。在常温25°C下，最大反向漏电流仅为0.5μA，在高温100°C时也控制在25μA以内，远低于许多同类产品。低漏电流意味着在待机或低功耗模式下几乎不会产生额外的能量消耗，有助于实现绿色节能设计目标。此外，该器件具有较高的反向耐压能力（40V），可应对一般低压电源系统的瞬态过压情况，提供可靠的电路保护功能。综合来看，FMLG12凭借其低VF、高速度、小尺寸、低漏电和高可靠性等多项优势，成为现代精密电子系统中不可或缺的基础元件之一。

FMLG12广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效能、小尺寸和高可靠性的场合。其最常见的应用场景之一是便携式消费类电子产品中的电源管理与保护电路。例如，在智能手机和平板电脑中，该器件可用于电池充电路径的反接保护，防止因电源极性错误而导致主控芯片损坏；同时也可以作为DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管，利用其低正向压降特性减少能量损失，提高电源转换效率。在USB接口电路中，FMLG12常被用作数据线或电源线的ESD保护元件，能够迅速泄放静电脉冲，保护敏感的通信芯片免受高压冲击。
　　在工业控制领域，该器件适用于传感器信号调理电路中的钳位与隔离功能。例如，在模拟信号采集前端，使用FMLG12可以将输入电压限制在安全范围内，避免ADC输入端出现过压现象。此外，在数字逻辑电平转换电路中，当不同电压域（如3.3V与5V系统）之间需要进行信号传递时，可借助FMLG12实现单向电平隔离与抬升，确保信号完整性。在嵌入式微控制器单元（MCU）的I/O端口保护设计中，该二极管阵列也可用于抑制感应电压尖峰和外部干扰，增强系统的抗扰度。
　　在电源适配器、LED驱动电源和小型开关电源中，FMLG12常作为次级侧整流元件使用，尤其是在低输出电压（如3.3V或5V）的拓扑结构中表现优异。由于其无需复杂的散热结构即可承担300mA连续电流，因此非常适合用于空间受限的小功率电源模块。此外，该器件还可用于音频设备中的噪声抑制电路、射频前端的信号检波以及各种类型的冗余电源切换电路中，发挥其快速响应和低功耗的优势。总之，FMLG12因其多功能性和高适应性，已成为众多电子设计工程师首选的通用型双肖特基二极管解决方案。

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　　 "RB751V40T100",
　　 "BAT54C",
　　 "NSRK3040",
　　 "DMG3415U",
　　 "SS14"
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