类型：N沟道JFET
　　封装形式：TO-92
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　跨导（gm）：典型值4000 μS（在Vds=10V, Id=1mA条件下）
　　饱和漏极电流（Idss）：典型值为2mA至8mA（在Vgs=0V, Vds=10V条件下）
　　截止电压（Vgs(off)）：典型值-0.5V至-5V
　　栅极漏电流（Igss）：最大±1nA（在Vgs=-10V时）

BF175的首要特性是其优异的低噪声性能，这使得它特别适用于前置放大器和微弱信号放大场合。JFET器件本身由于其PN结输入结构，在正常工作状态下栅极几乎不吸取电流，从而实现了极高的输入阻抗，通常可达10^9欧姆以上。这一特性显著降低了对信号源的负载效应，非常适合用于高阻抗传感器信号采集系统，例如压电传感器、麦克风前置放大器等。此外，BF175的跨导表现良好，在适当的偏置条件下可提供足够的增益，满足多种小信号放大需求。其跨导随漏极电流变化呈平方律关系，符合JFET的基本传输特性，便于进行线性化设计。
　　另一个关键特性是其稳定的直流偏置行为。由于BF175的Idss和Vgs(off)参数存在一定的分布范围，实际应用中常采用自偏置电路（Source Resistor Biasing）来建立稳定的工作点。这种偏置方式利用源极电阻上的电压降自动调节栅源电压，提高电路稳定性。同时，该器件具有良好的温度稳定性，相较于双极型晶体管，其参数受温度影响较小，尤其是在输入阻抗和噪声性能方面表现更优。此外，BF175在关断状态下的漏电流极小，适合用作模拟开关或选通电路中的控制元件。
　　从制造工艺角度看，BF175属于硅基结型场效应管，采用成熟的平面工艺制造，具有较高的可靠性和一致性。其小型TO-92封装便于手工焊接和自动化装配，广泛用于原型开发和中小批量生产。虽然其频率响应受限于寄生电容和跨导水平，但在音频频段（20Hz–20kHz）内仍能保持优良的性能表现。总体而言，BF175凭借其高输入阻抗、低噪声、良好跨导和稳定的工作特性，成为许多经典模拟电路设计中的首选JFET之一。

BF175广泛应用于需要高输入阻抗和低噪声放大的模拟电子电路中。一个典型的应用场景是音频前置放大器，特别是在动圈式或电容式麦克风信号调理电路中，BF175可以有效地将微弱的声音信号进行初步放大而不引入过多噪声或失真。由于其栅极几乎不吸取电流，能够很好地匹配高输出阻抗的音频传感器，避免信号衰减。此外，在仪器仪表领域，BF175常用于构建测量放大器的输入级，以确保对微弱电信号（如生物电信号、热电偶输出）的精确捕捉。
　　在信号处理电路中，BF175也常被用作有源滤波器的增益单元，尤其是在Sallen-Key或状态变量滤波器拓扑中，利用其高输入阻抗特性简化电路设计并提升滤波精度。同时，它还可作为恒流源使用，在LED驱动、测试设备偏置电路或差分放大器尾电流源中发挥重要作用。其恒流特性依赖于JFET的饱和区工作模式，通过合理设置源极电阻即可实现较为稳定的输出电流。
　　在一些老式或分立元件设计的振荡器电路中，BF175也被用于构建RC相移振荡器或Wien桥振荡器的放大环节，凭借其线性度和稳定性支持正弦波生成。此外，在模拟开关或多路复用电路中，BF175可作为低成本的电子开关元件，通过控制栅源电压实现导通与截止状态切换。尽管现代CMOS开关更为普遍，但在某些对电荷注入和导通电阻要求不高的场合，BF175仍具实用价值。总之，BF175的应用集中在低频模拟信号处理、传感器接口、音频电子和教学实验等领域，尤其适合对噪声和输入阻抗敏感的设计任务。

2N4416
　　BF245A
　　MPF102
　　J201