时间：2025/6/29 15:36:48
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SDP137AHVNMD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理应用。该器件设计用于在高频率和大电流条件下工作，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.6A（在25°C时）
功耗(Pd)：45W
导通电阻(Rds(on))：0.23Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
SDP137AHVNMD具备低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。其高栅极击穿电压确保了在高频开关应用中的可靠性。此外，该MOSFET采用耐用的封装设计，能够在高温环境下稳定运行，并具备良好的散热性能。
该器件还具有优异的雪崩能量吸收能力，使其能够在极端负载条件下保持安全操作。其快速恢复特性使其适用于开关电源、DC/DC转换器以及电机控制等应用。MOSFET内部结构优化以降低电磁干扰(EMI)，从而提升整体系统的兼容性和稳定性。
SDP137AHVNMD的封装形式为TO-252（DPAK），便于安装和散热管理，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
该MOSFET通常用于各类电力电子设备中，如开关电源(SMPS)、DC/DC转换器、电池充电器、LED照明驱动电路、电机控制器及负载开关等应用场景。由于其优良的电气特性和可靠性，也常被用于汽车电子系统中的功率控制模块。
STD10NM60N, STD80NF55L
