时间：2025/7/12 0:59:07
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TNM2K30K-B 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等电路中。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合高效能功率转换应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：27A
导通电阻：8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗：16W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
TNM2K30K-B 的主要特点是其出色的导通电阻性能和高效的功率处理能力。
1. 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，导通电阻仅为 8.5mΩ，这显著降低了传导损耗，提高了整体效率。
2. 高电流能力：该器件能够承受高达 27A 的持续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 小封装设计：TO-252 封装使其在紧凑的电路板布局中易于安装。
4. 快速开关性能：由于其较低的输入电容和输出电荷，TNM2K30K-B 具备快速开关能力，从而减少了开关损耗。
5. 热稳定性强：其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，确保了在极端环境下的可靠性。
TNM2K30K-B 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下：
1. 开关电源 (SMPS)：用于 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
2. 电机驱动：控制小型直流电机或步进电机的运行状态。
3. 负载开关：实现对负载的精确开关控制。
4. 电池保护：防止过充、过放及短路等情况发生。
5. 工业自动化设备：作为功率级元件进行信号放大或功率传输。
TNM2K30N-B, IRFZ44N, AO3400A
