时间：2025/5/16 13:47:48
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PMV27UPEA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体，具备低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于功率管理、电机驱动、负载切换等领域。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：65mΩ
总功耗：840mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：SOT-23
PMV27UPEA具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小尺寸SOT-23封装，节省PCB布局空间。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 静电防护性能强，提高系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
PMV27UPEA适用于多种电子设备和系统，包括但不限于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电池管理。
2. 消费类电子产品中的电源管理模块。
3. 便携式设备中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的信号切换。
5. LED驱动器和背光控制电路。
6. 数据通信接口保护与控制。
PMV28UNA, PMV26ENH, BSS138
