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ZXM62N03E6TA 发布时间 时间:2023/9/27 17:10:12 查看 阅读:156

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 2.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:9.6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :380pF @ 25V
功率 - 最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6
包装:带卷 (TR)
其它名称:ZXM62N03E6TR

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ZXM62N03E6TA参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-23-6
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称ZXM62N03E6DKR