时间：2025/9/6 2:22:55
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LTL2F3VEKNT是一种低电压、低功耗、双极型晶体管（BJT）阵列集成电路，由多个晶体管组成，适用于各种通用和高频放大应用。这种芯片通常采用小型化封装，适合在空间受限的电子设备中使用。
类型：双极型晶体管阵列
晶体管数量：2个
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：5 mA
增益带宽积：250 MHz
封装类型：SOT-23
LTL2F3VEKNT具有低电压操作能力，使其适用于电池供电设备和低功耗应用。该芯片的高频特性使其适用于射频和高速开关应用。此外，由于其小型封装，该芯片非常适合在高密度电路板设计中使用。
该晶体管阵列具有良好的热稳定性和电流增益稳定性，确保在各种工作条件下性能一致。其双晶体管设计允许构建差分放大器、推挽放大器等复杂电路。此外，LTL2F3VEKNT的低饱和电压和快速开关特性也使其适用于数字逻辑电路和脉冲放大应用。
LTL2F3VEKNT广泛应用于无线通信模块、射频前端电路、音频放大器、传感器接口电路、逻辑门电路以及各种低功耗电子设备中。此外，它也常用于测试设备、工业控制电路和消费类电子产品中的信号处理和放大功能。
BC847N, 2N3904, PN2222
