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SDP117HV2MD 发布时间 时间:2025/6/27 15:17:14 查看 阅读:32

SDP117HV2MD 是一款由 STMicroelectronics 生产的高电压、低 RDS(on) 的功率 MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款器件采用先进的沟槽栅极技术,提供卓越的导通性能和开关特性。其高耐压能力使其非常适合用于工业控制、电机驱动以及电池管理系统等领域。

参数

类型:MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大连续漏极电流(ID)@25°C:180A
  RDS(on) 最大值:4.5mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6
  栅极电荷(Qg):190nC
  功耗(PD):300W

特性

SDP117HV2MD 的主要特点包括超低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗并提高系统效率;高电流承载能力使得该器件能够在高负载条件下稳定运行;此外,该器件具有出色的热稳定性,可在高温环境下正常工作。
  该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构,以优化电场分布,从而提高击穿电压并减少开关损耗。此外,它还具备较高的雪崩能量承受能力,提高了器件在极端条件下的可靠性。
  在封装方面,SDP117HV2MD 使用 PowerFLAT 5x6 封装,具有优良的散热性能,适用于紧凑型设计和高功率密度应用。其无铅环保封装也符合 RoHS 标准,适合广泛应用于现代电子产品中。

应用

SDP117HV2MD 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)、不间断电源(UPS)、电动工具以及汽车电子系统等需要高效功率管理的场合。此外,该器件也可用于太阳能逆变器、工业自动化设备及高性能服务器电源模块。

替代型号

STP120N10F7AG | STD120N10F7AG | STD120N10F7AMF

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