时间：2025/6/27 15:17:14
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SDP117HV2MD 是一款由 STMicroelectronics 生产的高电压、低 RDS(on) 的功率 MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款器件采用先进的沟槽栅极技术，提供卓越的导通性能和开关特性。其高耐压能力使其非常适合用于工业控制、电机驱动以及电池管理系统等领域。
类型：MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大连续漏极电流（ID）@25°C：180A
RDS(on) 最大值：4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
栅极电荷（Qg）：190nC
功耗（PD）：300W
SDP117HV2MD 的主要特点包括超低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率；高电流承载能力使得该器件能够在高负载条件下稳定运行；此外，该器件具有出色的热稳定性，可在高温环境下正常工作。
该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，以优化电场分布，从而提高击穿电压并减少开关损耗。此外，它还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在极端条件下的可靠性。
在封装方面，SDP117HV2MD 使用 PowerFLAT 5x6 封装，具有优良的散热性能，适用于紧凑型设计和高功率密度应用。其无铅环保封装也符合 RoHS 标准，适合广泛应用于现代电子产品中。
SDP117HV2MD 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、电动工具以及汽车电子系统等需要高效功率管理的场合。此外，该器件也可用于太阳能逆变器、工业自动化设备及高性能服务器电源模块。
STP120N10F7AG | STD120N10F7AG | STD120N10F7AMF
