型号：UTD36N03G-TN3-R
　　制造商：Unisonic Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：36A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：144A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.3V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ @ Vgs=10V, Id=18A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.2mΩ @ Vgs=4.5V, Id=18A
　　输入电容（Ciss）：1450pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：490pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：105pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：18nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：2.5W（TA=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN3x3-8L

UTD36N03G-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻Rds(on)，这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统能效。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为4.7mΩ，在Vgs=4.5V时为6.2mΩ，表明该器件不仅在标准栅压下表现优异，还能在较低驱动电压条件下保持良好性能，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的场景。这种低阈值电压和低驱动需求的特性使得它非常适合与现代微控制器或PWM控制器配合使用，无需额外的电平转换或驱动电路。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg=18nC）和输入电容（Ciss=1450pF），有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升高频开关应用（如同步降压转换器）的效率。同时，其快速的开关速度可有效降低开关时间，减少交叉导通风险，进一步优化电源系统的动态响应能力。DFN3x3-8L封装提供了优良的散热性能，底部有裸露焊盘，可通过PCB接地层高效散热，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
　　UTD36N03G-TN3-R还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。其-55°C至+150°C的工作结温范围使其能够在极端环境温度下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子外围电路及户外设备等严苛应用场景。此外，该器件通过了AEC-Q101部分认证测试（视具体批次而定），具备一定的车规级可靠性基础。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如H桥或BUCK电路中的下管。
　　总体而言，UTD36N03G-TN3-R是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，兼顾了低导通损耗、快速开关、紧凑封装和高可靠性等多重优势，是现代高效电源管理系统中的优选器件之一。其综合性能优于许多同等级竞品，在成本敏感且性能要求较高的应用中具有较强竞争力。

UTD36N03G-TN3-R广泛应用于各类中高功率密度的电子系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（Buck）转换器，作为上管或下管使用，利用其低Rds(on)和快速开关特性实现高转换效率；也可用于升压（Boost）和 buck-boost 拓扑结构中的功率开关元件。在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，该器件常用于电池管理系统的充放电控制回路或负载开关，以实现高效的电源通断和保护功能。
　　此外，UTD36N03G-TN3-R适用于电机驱动电路，特别是在小功率直流电机或步进电机的H桥驱动中，能够提供足够的电流驱动能力和快速响应能力。在LED照明驱动电源中，该MOSFET可用于恒流调节电路中的开关元件，帮助实现精确调光和节能效果。其小型DFN封装也使其成为空间受限应用的理想选择，例如智能手机内部的电源模块、穿戴式设备和物联网终端设备。
　　工业控制领域中，UTD36N03G-TN3-R可用于PLC数字输出模块、继电器替代开关（固态开关）以及传感器供电控制电路。在服务器和通信设备的板级电源系统中，该器件常用于多相VRM（电压调节模块）设计中，配合控制器实现高效供电。同时，由于其良好的热性能和稳定性，也可用于汽车电子中的辅助电源系统、车载信息娱乐设备和车身控制模块等非主驱应用。

UTD36N03G-TN3-F
　　AOZ5236NQI-02
　　SiSS108DN-T1-E3
　　Infineon BSC036N03MS G