时间：2025/6/27 14:52:05
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SDP117AHVNMD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换系统和电机控制应用。该器件采用高性能的PowerFLAT?封装技术，具有较低的导通电阻、优异的热管理和高频工作能力，广泛用于DC-DC转换器、电池管理系统、工业自动化以及汽车电子等领域。
SDP117AHVNMD
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值为4.3mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
SDP117AHVNMD具备多项显著特性。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统整体效率，并支持更高的负载能力。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，增强了开关性能并降低了寄生电感的影响，使其在高频操作下依然保持良好的稳定性。此外，SDP117AHVNMD的PowerFLAT封装设计不仅提供优良的散热性能，还优化了空间利用率，满足紧凑型电路布局的需求。
另一个关键优势是其强大的雪崩能量承受能力，能够有效应对突发性过压情况，提升设备的可靠性和耐用性。同时，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。
SDP117AHVNMD适用于多种电力电子应用，包括但不限于同步整流DC-DC降压/升压转换器、多相供电模块、服务器电源、笔记本电脑适配器、马达驱动器、UPS不间断电源系统以及车载电气系统等。由于其卓越的导电性能和稳定的高频响应，它特别适合需要高能效与高功率密度的设计场景。
STMU55N3LLH6AG
