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SDP0080T023G5RP 发布时间 时间:2025/12/26 21:45:34 查看 阅读:13

SDP0080T023G5RP是一款由Skyworks Solutions, Inc.生产的高性能射频功率放大器(RF Power Amplifier),专为蜂窝通信基础设施应用设计,适用于全球移动通信系统(GSM)、通用陆基接入网络(UMTS)以及长期演进技术(LTE)等无线通信标准。该器件采用先进的硅基锗工艺(SiGe)制造,具备高线性度、高效率和良好的热稳定性,能够在宽频率范围内提供稳定的输出功率。SDP0080T023G5RP集成了多个内部匹配网络,简化了外部电路设计,有助于减少PCB面积并降低整体系统成本。该芯片工作在2.3 GHz至2.7 GHz频段,特别适用于宏基站、微基站、分布式天线系统(DAS)和小小区(Small Cell)等应用场景。其封装形式为紧凑型表面贴装模块,具备优良的散热性能,适合在高温环境下长期稳定运行。此外,该器件支持多种偏置模式,可通过外部电压调节实现功耗与性能之间的优化平衡,满足不同系统对能效的要求。

参数

制造商:Skyworks Solutions, Inc.
  类型:射频功率放大器
  工作频率范围:2.3 GHz ~ 2.7 GHz
  增益:典型值23 dB
  输出P1dB:典型值+30 dBm(1 W)
  饱和输出功率(Psat):典型值+32 dBm(1.6 W)
  电源电压:典型值5 V
  静态电流:可调,典型值120 mA @ 中等偏置
  输入/输出阻抗:50 Ω
  封装类型:表面贴装模块(LGA或类似小型化封装)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  回波损耗(输入/输出):>10 dB 典型值
  谐波抑制:>30 dBc
  线性度(ACLR):<-35 dBc @ WCDMA信号,60 MHz带宽内
  集成匹配电路:是
  内置定向耦合器:否
  保护功能:过温警告、VSWR耐受能力

特性

SDP0080T023G5RP具备出色的射频性能和高度集成的设计,使其成为现代无线通信系统中理想的中等功率放大解决方案。该器件在2.3 GHz至2.7 GHz频段内表现出优异的增益平坦度和高输出功率能力,能够在多载波、多标准环境下保持稳定的放大性能。其典型增益为23 dB,允许使用较低驱动级信号直接驱动,从而减少前端链路的设计复杂度。得益于SiGe工艺的优势,该放大器在保持高线性度的同时实现了较低的噪声系数和良好的互调失真表现,满足严格的数据调制格式如64-QAM和256-QAM对信号保真的要求。
  该芯片支持可调偏置功能,用户可以通过改变栅极偏压来动态调整静态工作点,从而在轻负载条件下降低功耗,提升整机能效,这对绿色通信和节能减排具有重要意义。同时,其内置的温度感应机制可用于配合数字预失真(DPD)算法进行实时补偿,进一步提高系统的线性度和稳定性。模块内部已集成输入和输出匹配网络,显著降低了客户在射频布局上的设计门槛,并减少了外围元件数量,提升了生产良率和一致性。
  SDP0080T023G5RP还具备较强的驻波比(VSWR)耐受能力,在天线端口出现不理想匹配的情况下仍能安全运行,避免因反射功率过高导致器件损坏。这一特性增强了系统在恶劣环境下的可靠性。其小型化表面贴装封装不仅节省空间,而且具有良好的热传导路径,便于通过PCB散热,适用于高密度集成的射频子系统。整体而言,该器件在性能、集成度、可靠性和能效之间实现了良好平衡,广泛服务于4G LTE Advanced及向5G过渡阶段的基站设备需求。

应用

SDP0080T023G5RP主要用于各类蜂窝通信基础设施中的射频功率放大环节,尤其适用于工作在2.3 GHz至2.7 GHz频段的无线基站系统。典型应用场景包括宏蜂窝基站(Macro Base Station)、微蜂窝基站(Micro Base Station)、微微蜂窝(Pico Cell)和室内分布系统(DAS),这些系统要求在有限的空间内实现高线性度和高效率的信号放大。该器件也常用于支持多输入多输出(MIMO)架构的小型化基站单元,作为发射链路中的末级或中间级放大器使用,能够有效提升下行链路覆盖范围和数据吞吐量。
  在LTE-A和Pre-5G系统中,该放大器可用于增强上行链路接收灵敏度或驱动多通道天线阵列。由于其良好的ACLR性能和低失真特性,它非常适合处理复杂的调制信号,例如OFDMA和SC-FDMA,确保在高数据速率传输过程中维持信号完整性。此外,该芯片还可应用于公共安全通信系统、专用无线网络以及宽带无线接入设备,在需要高可靠性和长寿命运行的工业级环境中表现出色。凭借其宽频带响应和灵活的偏置控制能力,SDP0080T023G5RP也被广泛用于研发测试平台和现场可编程门阵列(FPGA)驱动的软件定义无线电(SDR)系统中,作为可重构射频前端的关键组件。

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SDP0080T023G5RP参数

  • 制造商Littelfuse
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM8 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)5 uA
  • 关闭状态电容 CO6.5 pF
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-23-5
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 商标名SIDACtor