时间：2025/9/3 19:12:32
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HYG023N04LS1P是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛用于高效率功率转换应用。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动器等电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：23A
漏-源极击穿电压（VDS）：40V
栅-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大65mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPak）
功耗（PD）：80W
HYG023N04LS1P具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现更小的芯片尺寸和更高的电流密度。此外，HYG023N04LS1P具有快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频工作环境。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，使其能够在高功率条件下长时间稳定运行。内置的体二极管可提供反向电流保护，增强系统的可靠性。
器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车电子应用。其TO-252封装形式便于安装在PCB上，适用于表面贴装技术（SMT），提高生产效率。
HYG023N04LS1P常用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路和电源模块等。其高效率和快速响应特性使其成为电源管理应用中的理想选择，尤其适用于对能效要求较高的服务器电源、通信设备和工业自动化系统。
TPH2R404P，SiSS12DN，IRF3710，FDS6680
