时间：2025/8/6 4:12:03
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IXGT16N170是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的高电压、高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于高功率开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，具有较高的效率和可靠性。IXGT16N170设计用于工作在高电压和高电流条件下，广泛应用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域。
最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
最大集电极电流（IC）：30A（TC=100℃）
最大栅极-发射极电压（VGE）：±30V
最大功耗（PD）：250W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
短路耐受能力：6μs（典型值）
导通压降（VCE_sat）：约2.5V（IC=16A，VGE=15V）
输入电容（Cies）：约2200pF
输出电容（Coes）：约330pF
反向恢复时间（trr）：约2.5μs
IXGT16N170 IGBT具有多项高性能特性。首先，其1700V的集电极-发射极电压额定值使其适用于高电压系统，能够有效支持高压直流（HVDC）和工业电源转换应用。其次，该器件具备良好的导通和开关损耗平衡，导通压降较低，同时开关损耗适中，有助于提高整体系统的能效。
此外，IXGT16N170具备较强的短路耐受能力，能够在6μs内承受短路电流，从而提升系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围为±30V，确保在不同工作条件下稳定运行，并且具备较高的抗干扰能力。
该IGBT采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。封装材料和结构符合工业标准，便于安装和散热管理。此外，其工作温度范围宽达-55℃至+150℃，适应各种恶劣环境下的运行需求。
IXGT16N170还具备较低的输入电容（约2200pF）和输出电容（约330pF），有助于减少高频开关时的驱动损耗，提高系统的动态响应能力。其反向恢复时间约为2.5μs，在整流和续流应用中表现良好，适用于多种功率拓扑结构。
IXGT16N170适用于多种高功率电子系统和工业设备。在工业电机驱动中，该IGBT用于变频器和伺服驱动器的功率级，实现高效能的电机控制。在太阳能逆变器中，IXGT16N170可作为主开关器件，将光伏板产生的直流电转换为交流电并入电网，其高电压和高效率特性使其成为理想的功率转换元件。
在不间断电源（UPS）系统中，该IGBT用于直流-交流逆变电路，确保在电网故障时能够快速切换并提供稳定电源输出。此外，该器件也适用于电动车充电器和能量回馈系统，提供高可靠性和高效能的电力转换方案。
由于其具备较强的短路耐受能力和宽工作温度范围，IXGT16N170也广泛应用于焊接电源、感应加热设备和高压测试设备等高要求工业应用中。其高电压耐受能力和稳定的开关特性，使其在这些高功率密度系统中表现出色。
IXGT16N170AH、IXGH16N170、IXGT24N170
