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IXGT16N170 发布时间 时间:2025/8/6 4:12:03 查看 阅读:25

IXGT16N170是一款由Littelfuse(原IXYS)制造的高电压、高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高功率开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具有较高的效率和可靠性。IXGT16N170设计用于工作在高电压和高电流条件下,广泛应用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域。

参数

最大集电极-发射极电压(VCES):1700V
  最大集电极电流(IC):30A(TC=100℃)
  最大栅极-发射极电压(VGE):±30V
  最大功耗(PD):250W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  短路耐受能力:6μs(典型值)
  导通压降(VCE_sat):约2.5V(IC=16A,VGE=15V)
  输入电容(Cies):约2200pF
  输出电容(Coes):约330pF
  反向恢复时间(trr):约2.5μs

特性

IXGT16N170 IGBT具有多项高性能特性。首先,其1700V的集电极-发射极电压额定值使其适用于高电压系统,能够有效支持高压直流(HVDC)和工业电源转换应用。其次,该器件具备良好的导通和开关损耗平衡,导通压降较低,同时开关损耗适中,有助于提高整体系统的能效。
  此外,IXGT16N170具备较强的短路耐受能力,能够在6μs内承受短路电流,从而提升系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围为±30V,确保在不同工作条件下稳定运行,并且具备较高的抗干扰能力。
  该IGBT采用TO-247封装形式,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。封装材料和结构符合工业标准,便于安装和散热管理。此外,其工作温度范围宽达-55℃至+150℃,适应各种恶劣环境下的运行需求。
  IXGT16N170还具备较低的输入电容(约2200pF)和输出电容(约330pF),有助于减少高频开关时的驱动损耗,提高系统的动态响应能力。其反向恢复时间约为2.5μs,在整流和续流应用中表现良好,适用于多种功率拓扑结构。

应用

IXGT16N170适用于多种高功率电子系统和工业设备。在工业电机驱动中,该IGBT用于变频器和伺服驱动器的功率级,实现高效能的电机控制。在太阳能逆变器中,IXGT16N170可作为主开关器件,将光伏板产生的直流电转换为交流电并入电网,其高电压和高效率特性使其成为理想的功率转换元件。
  在不间断电源(UPS)系统中,该IGBT用于直流-交流逆变电路,确保在电网故障时能够快速切换并提供稳定电源输出。此外,该器件也适用于电动车充电器和能量回馈系统,提供高可靠性和高效能的电力转换方案。
  由于其具备较强的短路耐受能力和宽工作温度范围,IXGT16N170也广泛应用于焊接电源、感应加热设备和高压测试设备等高要求工业应用中。其高电压耐受能力和稳定的开关特性,使其在这些高功率密度系统中表现出色。

替代型号

IXGT16N170AH、IXGH16N170、IXGT24N170

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IXGT16N170参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.5V @ 15V,16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)32A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件