PMPB10XNEA 时间：2025/8/2 5:38:34 阅读：24

PMPB10XNEA 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高频率的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和高可靠性的特点，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种工业自动化设备中。PMPB10XNEA 采用DFN5x6封装，具有良好的热管理和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.26Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：DFN5x6

特性

PMPB10XNEA 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件在高频率工作条件下表现出色，适合用于高频开关电路中。此外，PMPB10XNEA 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在异常工作条件下提供更好的保护和稳定性。
　　该MOSFET的DFN5x6封装设计具有优异的热传导性能，使得在高电流应用中能够有效散热，避免过热损坏。同时，这种封装形式还具备小型化和轻量化的优势，非常适合现代电子设备中对空间和重量要求较高的应用场景。
　　在可靠性方面，PMPB10XNEA 经过严格的质量控制和测试流程，确保其在工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。它还具备良好的抗静电能力，减少了因静电放电导致的损坏风险。

应用

PMPB10XNEA 广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和控制电路、LED照明系统、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和家用电器。由于其高效率和高可靠性的特点，PMPB10XNEA 非常适合用于需要长时间稳定运行的工业控制和电源管理应用。此外，在新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电设备中，PMPB10XNEA 也能够发挥重要作用，提供高效、稳定的功率开关解决方案。