SDNT1608X473F4050FTF是一款由Samsung Electro-Mechanics(三星电机)生产的高精度、高稳定性的片式多层陶瓷电容器(MLCC),主要面向高频率、高可靠性要求的应用场景。该器件采用先进的陶瓷材料和制造工艺,具备优异的电气性能和机械稳定性,适用于现代便携式电子设备、通信系统、消费类电子产品以及工业控制设备中。其型号命名遵循Samsung的标准编码规则,其中'1608'代表其尺寸为1.6mm x 0.8mm(即0603英制尺寸),'473'表示标称电容值为47nF(即47000pF),'F'代表电容容差为±1%(高精度等级),而'4050'可能指电压等级与温度特性组合,'T'表示编带包装,'F'为端头电极结构特征。该电容器特别适用于需要低等效串联电阻(ESR)、低等效串联电感(ESL)以及良好高频响应特性的去耦、滤波和旁路电路设计中。由于采用了X7R或类似温度特性介质材料,该器件能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电容性能,电容变化不超过±15%。此外,该产品符合RoHS环保标准,无铅可焊,适合回流焊工艺,广泛应用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理单元等高密度集成电子系统中。
尺寸:1.6mm x 0.8mm (0603)
电容值:47nF (473)
容差:±1%
额定电压:50V
温度特性:X7R(-55°C to +125°C, ±15%)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
绝缘电阻:≥1000MΩ 或 C·V ≥ 100MΩ·μF
耐压:1.5倍额定电压下持续2秒无击穿或闪络
老化特性:符合X7R材质典型老化率(约2.5%/decade小时)
端电极结构:Ni/Sn(三层电极,镍阻挡层+锡外层)
包装形式:编带(Tape and Reel)
电容频率特性:在1MHz测试条件下测量
SDNT1608X473F4050FTF具有出色的温度稳定性和长期可靠性,其采用X7R类介电材料,在-55°C到+125°C的宽工作温度范围内,电容值的变化控制在±15%以内,满足大多数工业与消费类应用对电容稳定性的要求。这种稳定性使其非常适合用于精密滤波电路、时钟信号路径去耦以及电源轨噪声抑制等关键位置。该电容器的高容值精度(±1%)进一步提升了其在需要严格匹配或精确时间常数的电路中的适用性,例如ADC参考输入滤波、PLL环路滤波器等场合。
该器件具备非常低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使其在高频应用中表现出优异的去耦能力。在数十MHz至GHz频段内,它能够有效吸收瞬态电流波动,降低电源噪声,提升系统稳定性。这对于高速数字电路(如处理器、FPGA、ASIC供电)尤为重要。同时,由于其小型化封装(1608尺寸),可在有限的PCB空间内实现高密度布局,适应现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
SDNT1608X473F4050FTF采用三层端电极结构(Inner Electrode/Ni Barrier/Sn Finish),增强了抗热应力和焊接可靠性,有效防止因温度循环导致的端头开裂或电极剥离现象。此外,该结构也提高了抗湿性和耐腐蚀能力,确保在恶劣环境下的长期稳定性。产品通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高,适用于汽车电子等严苛应用场景。
该MLCC在制造过程中采用严格的洁净室环境和自动化叠层工艺,保证了每批次产品的高度一致性与良品率。其电容值在施加直流偏压下的衰减表现优于一般Y5V或Z5U材质的产品,尽管仍存在一定的电压依赖性,但在50V额定电压下使用于较低电压(如5V或12V)系统时,实际可用容量接近标称值。此外,该器件符合RoHS和REACH环保指令,不含铅、镉等有害物质,支持无铅回流焊接工艺(峰值温度可达260°C),兼容现代SMT生产线。
该电容器广泛应用于各类高性能电子设备中,主要用于电源去耦、噪声滤波、信号耦合与旁路等电路功能。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中,常用于处理器核心电源引脚的高频去耦,以消除开关噪声并维持供电稳定。在射频模块中,可用于偏置电路滤波或阻抗匹配网络中的隔直电容。此外,在工业控制系统、医疗电子设备、车载信息娱乐系统及物联网终端中,该器件因其高可靠性和温度稳定性而被广泛采用。
在电源管理单元(PMU)或DC-DC转换器输出端,SDNT1608X473F4050FTF可作为次级滤波电容,配合大容量电解电容或钽电容使用,进一步平滑输出电压纹波。在模拟信号链路中,如运算放大器输入/输出端,可用于构建高精度RC滤波器,抑制高频干扰。由于其±1%的高精度容差,也可用于定时电路或振荡器反馈回路中,确保频率精度。
在汽车电子领域,该型号可能用于车身控制模块、ADAS传感器供电、车载摄像头模组等对元器件寿命和环境适应性要求较高的场景。其宽温特性和机械强度使其能够承受车辆运行中的振动、温度冲击和湿度变化。同时,在5G基站前端模块、Wi-Fi 6E射频前端、蓝牙低功耗模块等无线通信基础设施中,该电容也常用于射频供电线路的AC接地和噪声旁路,保障信号完整性。
GRM188R71H473KA01D
CL21B473FBANNNC
C1608X7R1H473K