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BSS84-TP 发布时间 时间:2025/5/30 22:33:23 查看 阅读:19

BSS84-TP是一种小信号NPN双极性晶体管,采用SOT-23封装形式。它主要应用于高频开关电路和低噪声放大电路中。BSS84-TP具有较低的饱和电压和较高的增益特性,适用于各种便携式设备、消费类电子产品以及通信领域。

参数

集电极-发射极电压:50V
  集电极电流:100mA
  直流电流增益(hFE):100~300
  集电极耗散功率:200mW
  过渡频率:300MHz
  存储温度范围:-65℃至150℃

特性

BSS84-TP晶体管以其优异的高频性能和低噪声特点著称。
  首先,其高达300MHz的过渡频率使其非常适合于高频应用场合,例如射频电路中的开关和放大功能。
  其次,该晶体管的低饱和电压确保了在开关状态下能效较高,从而减少了能量损耗。
  此外,BSS84-TP还拥有宽广的工作温度范围,能够适应极端环境下的使用需求。这种可靠性使得它在工业和汽车电子领域也得到了广泛应用。

应用

BSS84-TP广泛用于多种电子设备中,具体包括但不限于以下场景:
  1. 高频开关电路,如射频信号切换。
  2. 低噪声放大器,在无线通信系统中提升信号质量。
  3. 各种消费类电子产品,如智能手机、平板电脑等内部的小信号处理模块。
  4. 工业控制中的脉冲宽度调制(PWM)驱动电路。
  5. 汽车电子中的传感器信号调理电路。

替代型号

BSS84, 2SC2793, MPSH10

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BSS84-TP参数

  • 现有数量47,308现货
  • 价格1 : ¥1.99000剪切带(CT)3,000 : ¥0.34558卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)30 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)225mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3