PSMN4R2-60PLQ 时间：2025/9/14 14:10:10 阅读：16

PSMN4R2-60PLQ 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件专为高功率应用设计，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性。PSMN4R2-60PLQ 采用高性能的 Trench MOSFET 技术，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及汽车电子等应用场景。

参数

型号：PSMN4R2-60PLQ
　　类型：N沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：60 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：160 A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.2 mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：Power-SO
　　引脚数：8
　　功耗（Ptot）：300 W
　　栅极电荷（Qg）：160 nC（典型值）

特性

PSMN4R2-60PLQ 具有出色的导通性能和开关性能，这得益于其先进的 Trench MOSFET 技术。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件的高栅极电荷（Qg）意味着在高频开关应用中会带来一定的挑战，但通过优化驱动电路设计可以有效缓解这一问题。
　　PSMN4R2-60PLQ 还具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。其封装设计有助于提高散热效率，延长器件寿命。该器件支持宽范围的栅极驱动电压，使其在不同应用中具有更高的灵活性。
　　此外，PSMN4R2-60PLQ 的封装形式（Power-SO）适用于自动贴片工艺，便于大规模生产和使用。该器件符合 RoHS 环保标准，适合用于对环保要求较高的电子产品中。

应用

PSMN4R2-60PLQ 适用于多种高功率电子系统，包括电源管理模块、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及工业自动化控制系统。由于其优异的导通特性和高电流承载能力，它也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等。
　　此外，PSMN4R2-60PLQ 也可用于服务器电源、电信设备电源以及可再生能源系统中的逆变器控制模块。