时间：2025/12/28 10:56:42
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SDNT1005X503F4100HTF是一款由Susumu公司生产的高精度、小型化薄膜片式电阻器，专为需要高稳定性、低温度系数和微小封装尺寸的精密电子电路设计而优化。该器件采用先进的薄膜沉积技术制造，具有优异的长期稳定性和抗老化性能，适用于对精度和可靠性要求极高的应用场景。其紧凑的尺寸（1005英制，即1.0mm x 0.5mm）使其非常适合用于高密度贴装的便携式电子产品和高端通信设备中。该型号中的‘503’表示其阻值为50kΩ（50 × 10^3 Ω），‘F’代表精度等级±1%，‘4100’可能与产品系列或额定功率相关，而‘HTF’则表明其具备高温薄膜特性，能够在较高工作温度下保持性能稳定。作为薄膜电阻，它相较于厚膜电阻具有更低的噪声、更好的高频响应和更优的温度系数表现，广泛应用于精密测量仪器、医疗设备、工业控制及射频电路等领域。
尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
阻值：50kΩ
阻值公差：±1%
温度系数：±25ppm/℃
额定功率：0.05W（50mW）
最高工作电压：50V
最大过载电压：75V
工作温度范围：-55℃ ~ +155℃
存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
结构类型：薄膜片式电阻
端电极材料：镍阻挡层+锡镀层，可焊性优良
抗湿性：符合IEC 60068-2-30标准要求
耐焊接热：符合EIAJ ED-700-AC01标准
绝缘电阻：≥100MΩ
耐久性：在额定功率下工作1000小时后，阻值变化不超过±0.5%
SDNT1005X503F4100HTF具备卓越的电气稳定性与环境适应能力，其核心优势在于采用真空溅射工艺形成的镍铬（NiCr）合金薄膜作为电阻层，这种工艺能够实现极均匀的膜层分布，从而确保电阻值的高度一致性与长期稳定性。该器件的温度系数低至±25ppm/℃，意味着在环境温度变化时其阻值漂移极小，这对于需要长时间维持精度的模拟信号链路、参考电压分压网络以及反馈控制系统至关重要。此外，其±1%的初始精度满足大多数精密电路的设计需求，在无需额外校准的情况下即可投入使用，降低了系统集成复杂度。
该电阻器具有出色的高频特性，寄生电感和电容极低，适合用于高频信号路径中，如射频前端匹配网络或高速ADC/DAC接口电路。由于使用了多层端电极结构（铜/镍/锡），其可焊性良好，并能有效防止因热应力或机械应力导致的开裂问题，提高了回流焊接过程中的良率。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（HTRB）、温度循环测试（TCT）和负载寿命测试，确保在恶劣环境下仍能保持性能稳定。其宽达-55℃至+155℃的工作温度范围，使其可在汽车电子、航空航天和工业自动化等严苛环境中可靠运行。另外，该产品符合RoHS指令和无卤素要求，支持绿色环保制造流程，适用于现代高密度SMT组装工艺，是替代传统通孔电阻的理想选择。
广泛应用于高精度模拟电路、医疗电子设备（如心电图机、血糖仪）、测试与测量仪器（示波器、万用表）、通信基础设施（基站射频模块、光模块）、工业传感器信号调理电路、汽车电子控制系统（ECU、ADAS传感器）、消费类高端音频设备以及便携式智能终端中的电源管理单元。由于其微型化和高性能特点，特别适合空间受限但对稳定性要求极高的应用场景。
RNCF1005D50K0BSTF
RT0603DRD0750KL
ERJ-U02D50K0V
