类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.085Ω
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W
　　漏极电流峰值（IDM）：320A

CS80N06具有多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V VDS）确保了在高压环境下的稳定运行，同时能够承受瞬态电压的冲击。其次，CS80N06的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率。这种低电阻特性还减少了在高电流条件下的发热，提高了系统的热稳定性。
　　此外，CS80N06的连续漏极电流可达80A，适用于高功率需求的应用场景。其峰值漏极电流高达320A，可以在短时间内承受较大的负载波动，确保系统在突发情况下仍能正常运行。器件的封装形式为TO-247，这种封装具有良好的散热性能，有助于进一步降低工作温度，提高器件的可靠性。
　　CS80N06的工作温度范围从-55°C到+150°C，适应了广泛的工作环境，包括工业级和汽车电子应用。其栅源电压范围为±20V，允许使用多种驱动电路设计，提高了灵活性和兼容性。此外，该MOSFET具备良好的抗静电能力和过热保护特性，确保在复杂电磁环境中仍能稳定工作。

CS80N06广泛应用于多种高功率电子设备中，特别是在开关电源、DC-DC转换器和逆变器中表现优异。其高耐压能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换系统中的理想选择。此外，CS80N06也常用于电动工具、工业自动化设备、UPS不间断电源以及新能源系统中的功率控制模块。在电动汽车和充电桩系统中，CS80N06也被用于高压电路的开关控制，以确保系统的高效运行和长期稳定性。

IRF840、FQA80N60、STF80N60DM2