C5112D 时间：2025/12/30 12:41:52 阅读：15

C5112D是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款晶体管具有高开关速度、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及负载管理等多种高功率应用场景。C5112D采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装技术（SMT）生产工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.028Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

C5112D的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。该MOSFET的高栅极电荷（Qg）使其在高频开关应用中表现优异，同时保持较低的开关损耗。此外，C5112D具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高温环境下也能稳定运行。
　　该器件还具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定。C5112D的封装设计优化了散热性能，使得在高功率应用中能够有效降低温度，延长器件寿命。此外，其封装形式适用于自动化贴片生产，提高了制造效率和可靠性。
　　从电气特性来看，C5112D的栅极阈值电压（Vgs(th)）较低，通常在2V至4V之间，这意味着它可以被标准的逻辑电平驱动器轻松控制。这对于简化驱动电路设计和降低系统成本非常有帮助。同时，它的漏极电流额定值较高，能够在负载变化较大的情况下提供稳定的性能。

应用

C5112D广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、开关电源（SMPS）以及负载开关控制等。在汽车电子系统中，它常用于车载充电器、LED驱动器和电动工具控制模块。此外，C5112D也适用于工业自动化设备中的功率开关控制，如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器等。