SDNT1005X104F4250FTF是一款由Samsung Electro-Mechanics生产的多层陶瓷芯片电感器(MLCI),专为高频和高电流应用设计。该器件属于其SDNT系列,广泛应用于移动设备、无线通信模块、电源管理单元以及便携式消费类电子产品中。该电感采用先进的叠层制造工艺,具有小型化、低损耗、高Q值和良好的温度稳定性等特点,适用于需要紧凑布局和高性能表现的现代电子电路。
该型号的命名遵循Samsung的标准编码规则:SDNT表示超小型叠层功率电感,1005代表其尺寸代码(即1.0mm x 0.5mm,符合EIA标准0402封装),X表示特定的产品子系列或性能等级,104表示标称电感值为10 × 10^4 pH = 100nH,F代表电感公差等级(通常为±1%),4250表示额定直流电阻(DCR)和饱和电流/温升电流特性相关参数,FTF则为卷带包装代码。因此,这款电感在保持极小体积的同时,提供了稳定的电感性能和较高的可靠性,适合自动化贴片生产流程。
作为高频功率电感,SDNT1005X104F4250FTF常用于射频匹配网络、DC-DC转换器中的储能元件、滤波电路以及噪声抑制等场景。其陶瓷基体材料具备优异的耐热性和机械强度,能够在高温、高湿及振动环境下保持性能稳定,满足工业级和消费级产品的环境适应性要求。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于绿色电子产品设计。
产品类型:多层陶瓷芯片电感器
尺寸(长×宽):1.0mm × 0.5mm
高度(最大):0.55mm
电感值:100nH
电感公差:±1%
自谐振频率(SRF):典型值约2.5GHz(具体以数据手册为准)
额定电流(Isat):约250mA(电感下降30%时的饱和电流)
直流电阻(DCR):典型值约425mΩ
工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
存储温度范围:-55℃ ~ +155℃
端电极结构:内部Ag/Ni/Cu/Sn多层电极,外部镀层兼容SMT焊接
包装形式:卷带编带(Tape and Reel),型号后缀FTF表示特定包装规格
RoHS合规性:符合RoHS 2指令(2011/65/EU)要求
耐焊接热性:可承受回流焊温度曲线(峰值260°C,持续时间≤10秒)
SDNT1005X104F4250FTF电感器的核心优势在于其采用高性能陶瓷介质与内埋式银导体构成的三维叠层结构,这种结构不仅实现了微型化与高集成度的完美结合,还显著提升了器件的电气性能和热稳定性。其独特的材料配方和精密的层间对准技术确保了电感值的高度一致性与长期稳定性,即使在复杂电磁环境中也能维持可靠的阻抗特性。该器件具有较高的自谐振频率(SRF),使其在GHz级别的射频应用中仍能保持良好的电感行为,避免因寄生电容导致的性能劣化,非常适合用于智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙系统等高频信号路径中的LC滤波或阻抗匹配网络。
另一个关键特性是其出色的直流叠加性能。尽管体积微小,但SDNT1005X104F4250FTF通过优化线圈布局和磁芯材料分布,在保证低直流电阻(DCR)的同时实现了相对较高的饱和电流能力,有助于减少功率损耗并提升电源转换效率。这对于空间受限但功耗敏感的应用尤为重要,例如可穿戴设备中的降压型DC-DC变换器,能够在有限的空间内提供稳定高效的能量传输。此外,其较低的等效串联电阻(ESR)也有助于降低发热,延长系统寿命。
从制造和装配角度看,该电感器设计完全兼容现代SMT表面贴装技术,端电极经过特殊处理,具备良好的润湿性和抗迁移能力,可在多次回流焊过程中保持连接可靠性。同时,器件整体具备优良的抗机械应力和热循环性能,不易因PCB弯曲或温度变化而产生开裂或脱层现象。这些综合特性使得SDNT1005X104F4250FTF成为高端移动电子设备中不可或缺的关键被动元件之一。
该电感器广泛应用于各类高密度、高频工作的电子设备中,尤其适用于移动通信终端如智能手机、平板电脑、智能手表等产品中的射频前端模块和电源管理电路。在射频应用中,它常被用作LC谐振电路的一部分,参与天线调谐、滤波器构建或阻抗匹配网络设计,帮助提升信号质量和传输效率。在电源系统方面,该器件可用于微型DC-DC转换器中的功率电感,特别是在负载点(POL)电源架构中,配合低静态电流稳压器实现高效电压调节,满足处理器、传感器和其他低功耗IC的供电需求。
此外,SDNT1005X104F4250FTF也适用于各种便携式消费类电子产品,包括无线耳机、物联网节点、RFID标签、GPS接收器等,这些设备普遍追求极致的小型化和低功耗运行,而该电感正好契合这一设计趋势。在工业控制和汽车电子领域,虽然其功率承载能力有限,但在非动力相关的信号调理、EMI滤波和传感器接口电路中仍能找到应用场景,尤其是在空间极度受限且需批量自动装配的场合。
由于其良好的频率响应特性和稳定的温度系数,该电感还可用于高速数字系统的去耦和噪声抑制电路中,协助改善电源完整性(Power Integrity),减少高频噪声对敏感模拟电路的干扰。总体而言,该器件特别适合那些对尺寸、高频性能和可靠性有严苛要求的先进电子系统。
LQM2HPN101MGRL
MLG1005S101PTD
DLW21SN101SQ2L
CLR1005N101XG